非接触ICカード共振周波数のEOSプローブを用いた測定
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概要
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非接触ICカードの共振周波数は質問器からカードへの電力伝送効率や、同時に使用できるカード枚数を決める重要なパラメーターである。しかし、この共振周波数を電気的に測定する場合、センシングコイルと非接触ICカードのアンテナが結合して、正確な値を測定することが困難であった。そこで、広帯域でハイインピーダンス測定が可能なEOSプローブを用いて、光で非接触ICカードの共振周波数測定法を考案し、実際に測定を行った。本方法は、非接触ICカードが発生する電界を電気光学結晶の屈折率変化として、光で検出するため、被測定物に電気的影響を与えることなく、正確な共振周波数を測定することが可能であることを初めて示した。
- 1999-06-24
著者
-
品川 満
Ntt通信エネルギー研究所
-
霜 浩二
NTT入出力システム研究所
-
村田 幸嗣
NTT入出力システム研究所
-
鶴 浩二
NTTサイバースペース研究所
-
村田 幸嗣
NTTサイバースペース研究所
-
大谷 佳光
NTTサイバースペース研究所
-
永井 靖浩
NTTサイバースペース研究所
-
永井 靖浩
日本電信電話株式会社nttサイバースペース研究所
-
〓 浩二
Nttサイバースペース研究所
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