原田 充 | Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
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概要
関連著者
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原田 充
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
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原田 充
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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原田 充
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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山岸 明洋
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山岸 明洋
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
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小舘 淳一
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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束原 恒夫
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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宇賀神 守
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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束原 恒夫
NTT通信エネルギー研究所
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原田 充
NTT通信エネルギー研究所
-
小舘 淳一
NTT通信エネルギー研究所
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原田 充
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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中村 光男
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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宇賀神 守
Ntt
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山岸 明洋
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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鈴木 賢司
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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山田 順三
NTT通信エネルギー研究所
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山岸 明洋
NTT通信エネルギー研究所
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山岸 明洋
Ntt通信エネルギー研
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宇賀神 守
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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中村 誠
NTTフォトニタス研究所
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中村 誠
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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武藤 伸一郎
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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宇賀神 守
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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森村 浩季
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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島村 俊重
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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中村 誠
Nttフォトニクス研究所
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鈴木 賢司
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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武藤 伸一郎
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
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中村 光男
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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島村 俊重
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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束原 恒夫
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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小舘 淳一
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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宇賀神 守
NTT通信エネルギー研究所
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小館 淳一
NTT通信エネルギー研究所
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藤野 洋輔
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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原田 充
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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望月 伸晃
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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門 勇一
Ntt通信エネルギー研究所
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山越 公洋
日本電信電話株式会社nttネットワークサービスシステム研究所
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山越 公洋
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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鈴木 賢司
Ntt未来ねっと研究所
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藤井 孝治
NTT未来ねっと研究所
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山岸 明洋
NTT未来ねっと研究所
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門 勇一
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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束原 恒夫
会津大学
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小舘 淳一
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
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藤井 孝治
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
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束原 恒夫
NTT入出力システム研究所
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門 勇一
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科電子システム工学部門
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門 勇一
京都工芸繊維大学 大学院工芸科学研究科 電子システム工学部門
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門 勇一
京都工芸繊維大学
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山岸 明洋
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
著作論文
- CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- RF-CMOSの回路技術と将来展望
- CMOS/SIMOX技術による1V動作2GHz帯RFフロントエンド回路 (「VLSI一般」)
- CMOS/SOIを用いた無線用低電圧回路技術 (特集論文 極低電力情報端末用LSI)
- C-2-33 周波数レンジ切替機能を持つ6GHz帯低電圧CMOSモノリシックLC共振型VCO
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
- SOI CMOSによる低電圧RF回路の試作・評価
- 高抵抗SIMOX基板を用いた2GHz帯1V動作低雑音増幅器
- 高抵抗SIMOX基板を用いたA/D混載回路における基板クロストーク抑制法
- デジタル回路のみで固有周波数を切換える高速起動PLL(マイクロ波超伝導/一般)
- B-8-14 広域ユビキタスネットワークにおける無線端末用低電力・省面積高周波回路技術(B-8.通信方式,一般セッション)
- B-8-13 広域ユビキタスネットワークにおける無線端末の省電力化設計技術(B-8.通信方式,一般セッション)
- デジタル回路のみで固有周波数を切換える高速起動PLL(マイクロ波超伝導/一般)
- 極低消費電力技術の広域ユビキタスネットワーク端末への展開 : マイクロワットからナノワットのセンサノードを目指して(物理設計,物理設計及び一般)
- B-8-15 広域ユビキタスネットワークにおける暗号演算回路の低消費電力化設計(B-8.通信方式,一般セッション)
- C-12-59 デジタル回路のみで固有周波数を切換える高速起動PLL(C-12.集積回路,一般セッション)
- バイアス雑音を低減したCMOS電圧制御発振器(アナログ回路技術ショートノート-アナログ回路技術の創造と伝承を目指して-)
- C-12-25 MOS伝達ゲートを用いたバイアス雑音遮断電圧制御発振器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- デジタル回路で構成した300MHz帯無線送信機LSIと低電力センサー端末への適用(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- デジタル回路で構成した300MHz帯無線送信機LSIと低電力センサー端末への適用(ワイヤレスとワイヤライン,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
- 無線端末技術の動向とCMOS技術によるインテグレーション(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 低電力ワンチップ無線トランシーバ用RF回路技術 (特集論文1 低エネルギーシステムを実現するSIMOX LSIアプリケーション技術)
- MOSFET/SOI技術を用いた2GHz帯及び4-6GHz帯低雑音アンプ
- エネルギーハーベスティングによる無線センサ端末動作を実現するサブナノワット回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- エネルギーハーベスティングによる無線センサ端末動作を実現するサブナノワット回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- B-5-96 920MHz帯を用いたM2M無線アクセスにおける伝送プロトコルに関する一検討(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)