宇賀神 守 | NTT通信エネルギー研究所

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概要

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• 宇賀神 守

  NTT通信エネルギー研究所

• 宇賀神 守

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 宇賀神 守

  Ntt

• 束原 恒夫

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 束原 恒夫

  NTT通信エネルギー研究所

• 小舘 淳一

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 小舘 淳一

  NTT通信エネルギー研究所

• 小中 信典

  Ntt生活環境研究所

• 久良木 億

  Ntt通信エネルギー研究所

• 原田 充

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 原田 充

  NTT通信エネルギー研究所

• 宇賀神 守

  NTT LSI研究所

• 小中 信典

  NTT LSI研究所

• 原田 充

  Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所

• 原田 充

  日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 国井 泰夫

  NTT物性科学基礎研究所

• 桑垣 衛

  NTT

• 国井 泰夫

  (株)日立国際電気電子機械事業部

• 国井 泰夫

  NTT LSI研究所

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著作論文

• 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
• CMOS/SIMOX技術によるイメージ抑圧比49dBの1V, 12mW, 2GHz動作RF受信機
• CMOS/SIMOX技術による1V動作2GHz帯RFフロントエンド回路 (「VLSI一般」)
• 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
• 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
• CMOS/SIMOX技術による閾値足し算型0.6V動作ボルテージ・リファレンス回路
• CMOS/SIMOX技術による閾値足し算型0.6V動作ボルテージ・リファレンス回路
• 低抵抗化ベースポリシリコン電極構造をもつ0.3μmセルフアラインバイポーラ
• 低抵抗化ベースポリシリコン電極構造をもつ0.3μmセルフアラインバイポーラ
• 選択CVD-W電極を用いたSiGeベースHBTのプロセス技術と特性解析

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