無線端末技術の動向とCMOS技術によるインテグレーション(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
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概要
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本論文では, 最近の無線端末技術の動向とRF (Ratio Frequency) 用CMOS回路を用いた高いレベルのインテグレーション技術について概説する。はじめにRF-CMOS回路の現状について, トランシーバアーキテクチャのレベルから述べる。次にRF回路で必須なインダクタの構成法とシリコン基板の効果等を述べる。続いて, 低電圧・省電力RF要素回路技術について, 設計手法と試作結果を示した後に, 近距離無線システムに適するIV動作のRFトランシーバの試作例を述べる。最後に、今後応用先が広がる考えられる、ユビキタスサービスに向けた無線端末技術の展望について触れる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-02-22
著者
-
原田 充
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
原田 充
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
原田 充
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
-
原田 充
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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