RF-CMOSの回路技術と将来展望
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概要
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本論文では,RF(Radio Frequency)用CMOS回路の現状と動向,並びに主として完全空乏形CMOS/SOI(Silicon-On-Insulator)デバイスを用いたGHz帯の低電圧・省電力RF回路技術について概説する.はじめにRF-CMOS回路の現状について,トランシーバアーキテクチャのレベルから解説する.次にRF回路で必須な受動素子へのシリコン基板の影響,インダクタの構成法と高抵抗基板の効果等を述べる.続いて,低電圧.省電力RF要素回路技術について,低雑音アンプ(LNA),ミクサを中心に設計手法と試作結果を示した後に,Bluetoothに代表される近距離無線システムに適する1V動作のイメージ抑圧形受信機の試作例を述べる.最後に更なる高周波化への試みと今後の展望について触れる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-01
著者
-
小舘 淳一
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
束原 恒夫
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
宇賀神 守
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山岸 明洋
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
原田 充
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
束原 恒夫
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
小舘 淳一
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
原田 充
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
宇賀神 守
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山岸 明洋
日本電信電話株式会杜NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
原田 充
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
-
原田 充
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
小舘 淳一
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
-
山岸 明洋
Ntt未来ねっと研究所:マイクロシステムインテグレーション研究所
-
宇賀神 守
Ntt
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