近江 和明 | キャノン(株) デバイス開発本部 ELTRAN 事業推進センター

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  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

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著作論文

• 高抵抗SOI基板を用いたCMOS低雑音増幅器の特性向上
• 2)エネルギー段差の大きなヘテロ接合をもったアモルファスAPD(情報入力研究会)
• エネルギー段差の大きなヘテロ接合をもったアモルファスAPD
• 0.1μm時代の高品質SOIウエハー技術

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