0.1μm時代の高品質SOIウエハー技術

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文
• 2002-09-10

著者

• 米原 隆夫

  キャノン(株) デバイス開発本部 Eltran 事業推進センター

• 佐藤 信彦

  キャノン(株) デバイス開発本部 Eltran 事業推進センター

• 近江 和明

  キャノン(株) デバイス開発本部 ELTRAN 事業推進センター

• 中山 潤

  キャノン(株) デバイス開発本部 ELTRAN 事業推進センター

• 坂口 清文

  キャノン(株) デバイス開発本部 ELTRAN 事業推進センター

• 山方 憲二

  キャノン(株) デバイス開発本部 ELTRAN 事業推進センター

• 柳田 一隆

  キャノン(株) デバイス開発本部 ELTRAN 事業推進センター

• 柿崎 恵男

  キャノン(株) デバイス開発本部 ELTRAN 事業推進センター

関連論文

• 高抵抗SOI基板を用いたCMOS低雑音増幅器の特性向上
• 2)エネルギー段差の大きなヘテロ接合をもったアモルファスAPD(情報入力研究会)
• エネルギー段差の大きなヘテロ接合をもったアモルファスAPD
• 0.1μm時代の高品質SOIウエハー技術
• 解説 ELTRANの作成工程および装置技術を中心に解説 300mmSOIウェハ生産技術の動向 (特集2 実用化進む最先端半導体製造技術&装置)
• SOI-Epiウエハ「ELTRAN」 (特集 デバイスの高速化、低消費電力化を実現するSOIウェハ)
• はり合わせウエーハ分離工程へのウォータージェットの適用
• ELTRANの最新技術動向 (特集 シリコンウェハの高付加価値化--ウェハ薄型化加工の実際)

スポンサーリンク