ボロンをイオン注入した酸化膜を拡散源とするベース形成法を用いたSST-IC特性
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概要
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浅ベース形成法、微細パターン形成技術、セルフアライン技術によりバイポーラLSIの性能向上が図られている。われわれは浅ベース形成法として、薄い酸化膜にボロンをイオン注入しこれを拡散源として、RTAでドライブする方法を提案している。今回、T-FF特性のウェハ内分布により、この浅ベース形成法を評価し、良好な結果が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
市野 晴彦
Ntt Lsi研究所
-
小林 由治
NTT LSI研究所
-
小林 由治
NTTエレクトロニクステクノロジー
-
山口 力
NTTエレクトロニクステクノロジー
-
原 和仁
NTTエレクトロニクステクノロジー
-
川野 龍介
NTT LSI研究所
-
山口 力
Ntt El研
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