3.3V高精度カレント・ミラ回路
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概要
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近年, LSIの高集積化に伴い, 半導体製造技術の微細化が進展している。このため, プロセス上の制約から回路の低電源電圧化が必須となり, 高精度なカレント・ミラ回路を構成することが回路設計上, 重要な課題となる)電源電圧3.3 Vにおいても従来のカスコード型カレント・ミラ回路は電圧的に適用困難となってきている。今回, 一般的なCMOS (0.8μm)プロセスを用い, 低電圧動作可能な高精度カレント・ミラ回路を試作し, 電源電圧3.3V±15%, 周囲温度-40〜+85℃において良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
三木 誠
富士通北海道ディジタル・テクノロジ(株)
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松山 哲
富士通北海道ディジタル・テクノロジ(株)
-
椿 一成
富士通株式会社
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椿 一成
富士通(株)
-
高氏 敏行
富士通北海道ディジタルテクノロジ株式会社
-
高氏 敏行
富士通北海道ディジタル・テクノロジ株式会社
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