1.3μm帯光加入者高抵抗埋め込み送受LDの受信特性に関する検討
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概要
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光加入者システムにおいては、半導体レーザを受光素子として用いる方式が提案されている。この場合、受光素子としては受光感度の偏波依存性や素子容量が大きな問題となるため、前回我々はパルク活性層を用いた高抵抗埋め込み送受LDを報告した。今回、高抵抗埋め込み送受LDをモジュール化し、受光時の誤り率特性等の評価を行って良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
中村 誠
Ntt フォトニクス研
-
木村 秀明
NTTアクセスサービスシステム研究所
-
杉江 利彦
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT光エレクトロニクス研究所
-
東盛 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
松本 信一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
木村 秀明
Nttアクセス網研究所
-
黒崎 武志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
中村 誠
NTT LSI研究所
-
杉江 利彦
NTT光ネットワークシステム研究所
-
木村 秀明
NTT伝送システム研究所
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