スポットサイズ変換光導波路を集積したInGaAlAs/InAlAs MQW導波路形4 x 4光スイッチジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年半導体光スイッチの研究が盛んに行われている。我々は、低損失かつ製作性の良い薄膜コアリッジ形スポット変換光導波路を提案するとともに、2 x 2光スイッチモジュールを製作し、その高速動作を確認した。本報告では、さらに4 x 4光スイッチモジュールを試作した結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
和田 正人
NTT光エレクトロニクス研究所
-
吉本 直人
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
吉本 直人
Nttフォトニクス研究所
-
柳橋 光昭
NTT通信エネルギー研究所
-
伊藤 敏夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹内 博昭
NTTエレクトロニクス(株)
-
神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
-
竹内 博昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
野口 悦男
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹内 博昭
Nttエレクトロニクス株式会社
-
関根 聡
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
Nttフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
NTT光エレクトロニクス研究所
-
柳橋 光昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 進
NTT光エレクトロニクス研究所
-
野口 悦男
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス株式会社
-
河野 健治
Ntt 光エレクトロニクス研
関連論文
- C-3-50 波面整合法により設計した1.3/1.55μm波長スプリッタ(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- Butt-Joint型選択成長スポットサイズ変換付き1.3μmLD
- IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- IPFキャリア実装による10 Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- C-3-68 低損失にポート増設可能なPLC型波長選択スイッチ(光スイッチ,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-18 超高ΔPLC を用いた 12.5 GHz 間隔小型インタリーブ・フィルタ
- C-3-68 シングルチップ集積化超小型16ch V-AWGにおけるVOA-AWG間熱干渉の評価(AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 超低消費電力PLC光VOAスイッチ(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,(OFC報告),一般)
- C-3-90 CSP-PDスタック実装技術を用いたPLC一体集積32ch ROAMモジュール(AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-87 サスペントディド狭リッジ構造を用いた超小型超低消費電力V-AWG(AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-51 テーパー狭リッジ構造を用いた超低消費電力PLC光スイッチ(光スイッチ・変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- シリコンベンチPLCハイブリッド技術を用いたGE-PON用3波WDM光送受信モジュール(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,一般)
- C-3-98 光素子チップスケールパッケージを用いたモジュラー型PLCハイブリッド集積WDMトランシーバ(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-100 石英系PLCを用いたインラインタップモニター付き集積型8ch可変光減衰器モジュール(C-3. 光エレクトロニクス(VOA), エレクトロニクス1)
- C-3-91 PLCハイブリット集積技術を用いた3波WDM対応光送受信モジュール(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- C-3-61 モジュラー型PLCハイブリッド集積の実現に向けた光素子用シリコンチップスケールパッケージの開発(C-3. 光エレクトロニクス(導波路デバイス1), エレクトロニクス1)
- B-10-63 PLCハイブリッド集積技術を用いた3波WDM対応光送受信モジュールの動特性(B-10.光通信システムB(光通信), 通信2)
- C-3-102 PLC集積型垂直光路変換ミラーアレイの作製方法に関する検討(パッシブデバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 偏波無依存LD型光ゲートスイッチ
- スポットサイズ変換LDの近端戻り光雑音特性
- 液晶を用いた光通信用可変光減衰器アレイ
- C-4-3 半導体光変調器の位相変調特性評価法の検討(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-16 EA変調器集積DFBレーザーの劣化姿態と長期安定動作
- 1.55μm帯ハイブリッド集積型波長変換モジュール
- B-5-261 光遅延スイッチによるミリ波帯光サブキャリア位相変調
- MUインタフェース40Gb/s光受信モジュール
- MUインタフェース40Gb/s級光受信モジュールの設計
- IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- C-3-39 IPFキャリアを用いた高速4ch-EA変調器モジュールの構成技術
- C-3-38 IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch. アレイ素子
- 高リップル用アルミニウム電解コンデンサ
- InP基板上の温度依存性の小さい光周波数変動センサモジュール
- C-4-24 Butt-Joint型スポットサイズ変換付き半導体ゲート(SS-SOAゲート)の長期安定動作
- 高抵抗埋込み技術による高機能半導体レーザ
- 高抵抗埋込み技術による高機能半導体レーザ
- C-3-163 新しいセミベクトルFE-BPMによるテーパ光導波路偏波依存性の解析
- バットジョイント型光導波路集積素子における内部反射抑制法
- MQW変調器集積DFBレーザモジュールの40Gbit/S変調動作
- 高速歪み量子井戸InGaAsP光変調器/DFBレーザ集積化光源
- バットジョイント型光導波路集積素子における内部反射抑制法
- バットジョイント構造を有するスポットサイズ変換レーザの発振スペクトル特性の検討
- SC-3-9 ハイブリッド集積32ch高速光波長セレクタ
- C-3-6 1.55-μm帯ハイブリッド集積波長変換モジュールの温度安定動作
- 半導体光増幅器のハイブリッド集積技術と高速光波長セレクタへの応用
- 半導体光増幅器のハイブリッド集積技術と高速光波長セレクタへの応用
- 半導体光増幅器のハイブリッド集積技術と高速光波長セレクタへの応用
- 半導体光増幅器のハイブリッド集積技術と高速光波長セレクタへの応用
- 1.55μm偏波無依存SOAゲートへのスポットサイズ変換機能の集積
- スポットサイズ変換導波路を集積した方向性結合形高速光スイッチモジュール
- スポットサイズ変換導波路を集積した方向性結合形高速光スイッチモジュール
- スポットサイズ変換光導波路を集積したInGaAlAs/InAlAs MQW導波路形4 x 4光スイッチジュール
- スポットサイズ変換付き偏波無依存SOAゲートアレイ
- スポットサイズ変換付き偏波無依存SOAゲートアレイ
- スポットサイズ変換集積SOAの高均一特性 : 8ch SS-SOAゲートアレイ
- フルベクトル有限要素法(V-FEM)による進行波電極形電界吸収(TW-EA)光変調器の解析
- SC-2-8 EA変調器及びEA変調器集積DFBレーザの高速化と低電圧化
- C-4-18 広波長帯域-偏波無依存EA変調器を用いたC-band/L-band間波長変換
- 高速・低電圧MQW光変調器の低挿入損失化
- 格子整合系MQWを用いた偏波無体存MZ光スイッチ
- 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD-III
- B-10-111 半導体光増幅器(SOA)を用いたWDM光アクセス方式用トランシーバ
- EA変調器集積LDのミリ波光リンク応用
- 1580-1600nm帯広波長帯域WDM用EA変調器集積DFBレーザ
- MQW変調器集積DFBレーザモジュールの高速変調動作
- MQW変調器集積DFBレーザモジュールの高速変調動作
- 光を操る(変調)--電界吸収型(EA)変調器の高速化と集積デバイス (特集論文1 光ネットワークを創り支える光半導体集積技術)
- 電界吸収(EA)型変調器集積DFBレーザの最近の進展
- 電界吸収(EA)型変調器集積DFBレーザの最近の進展
- 電界吸収(EA)型変調器集積DFBレーザの最近の進展
- PC-2-7 光集積化デバイス技術 : ハイブリッドからモノリシックへ
- EA変調器集積DFBレーザに関する最近の進展
- 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD-II
- 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD
- 半導体LD光増幅器の利得飽和を用いた光パケット強度等化器
- 波長帯域を広くした偏波無依存LD型光スイッチモジュール
- 偏波無依存LD型光スイッチモジュール
- スポットサイズ変換レーザ
- 半導体光集積素子とそのモジュール化技術
- RJ-45形光アクティブコネクタの開発 (MES2000 第10回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- MUインタフェース高速光送信モジュール
- MUインタフェース高速光送信モジュール
- 不連続光導波路解析のための有限要素法を用いた双方向MoL-BPM (FE-MoL-BPM)の提案
- 半導体光導波路の端面反射率の3次元セミベクトル解析
- 各種スポット変換LD(SS-LD)の結合特性の3-D BPMによる比較
- 薄膜コアリッジ形スポット変換LDの3-DBPMによる設計
- ハイブリッド集積1.55μmSS-SOAゲートアレーを用いた8チャネル高速光波長フィルタモジュール
- スポットサイズ変換集積半導体光増幅器(SS-SOA)ゲートの動特性評価
- ハイブリッド集積光ゲートモジュールを用いた超広帯域高速波長選択スイッチ : PLCプラットフォーム上の4チャネル偏波無依存SS-SOAゲートアレイ
- InGaAlAs/InAlAs MQW半導体導波路形光スイッチモジュールの動特性評価
- スポットサイズ変換レーザ
- C-3-8 シリコンベンチを用いた高速光受信モジュール
- 1.3μm帯 狭出射ビームスーパールミネッセントダイオード
- 方向性結合器形グレーティングスイッチと空間スイッチモジュールを用いたWDM-TDMクロスコネクトシステム
- 低チャープ10 Gbit/s用電界吸収型変調器集積化DFBレーザー--大容量通信の超長距離化に向けて
- 6a-Y-8 La_Sr_xCuO_4の熱起電力の高温測定
- 超広帯域光送受信デバイス (特集論文 テラビット通信技術への挑戦)
- 1.55μmスポットサイズ変換集積 偏波無依存SOAゲート
- 偏波無依存SOAゲートモジュールのスイッチング特性
- 0.98μm帯励起光ファイバ増幅技術 (光ファイバ増幅器と応用システム)
- 高密度RFテスタフロントエンド用75 dBステップアッテネータのSiP化の検討(大学発マイクロ波論文)