高密度RFテスタフロントエンド用75 dBステップアッテネータのSiP化の検討(<特集>大学発マイクロ波論文)
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概要
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RFテスタフロントエンドの高密度化に伴う75dBステップアッテネータのSiP(systems in package)化について,構造と回路設計,試作結果を述べる.従来ハイブリッドIC(HIC : Hybrid IC)や個別部品で構成した広帯域,高減衰量ステップアッテネータを,LTCC基板と新たに開発した2種類のステップアッテネータMMICを用いてSiP化し,20mm×20mm×3mmのサイズにて,10MHz〜12GHzの帯域で75dBの総可変量と2db以下の減衰確度を達成した.
- 2013-12-01
著者
-
古神 義則
宇都宮大学大学院工学研究科
-
竹内 博昭
NTTエレクトロニクス(株)
-
竹内 博昭
株式会社アドバンテスト
-
君島 正幸
株式会社アドバンテスト
-
大西 将夫
株式会社アドバンテスト
-
君島 正幸
株式会社アドバンテスト:宇都宮大学大学院工学研究科
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