低抵抗Si基板上のCBCPW線路の裏面導体構造の検討(学生研究会,学生研究会/一般)
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概要
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近年、ミリ波応用の実現に向けてSi CMOS回路の研究開発が推進されている。Si CMOS回路に低抵抗Si基板を用いる場合、オーム損による伝送損の増加が懸念され、その伝送損の低減が重要な課題となっている。本研究では、Si CMOSプロセスに適したCPW線路構造を模索するために、低抵抗Si基板上の絶縁層に構成された裏面導体付きCPW線路の裏面導体構造(配線層1層目)が伝送特性におよぼす影響を電磁界シミュレータにより検討した。その結果、配線層1層目の導体配置により伝送特性が大きく変化することがわかった。
- 2010-09-02
著者
-
古神 義則
宇都宮大学大学院工学研究科
-
清水 隆志
宇都宮大学大学院工学研究科
-
清水 隆志
宇都宮大学
-
清水 隆志
埼玉大学:(現)東北工業大学
-
古神 義則
宇都宮大学工学研究科
-
富山 渉
宇都宮大学大学院工学研究科
-
清水 隆志
宇都宮大 大学院工学研究科
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