陰的有限差分ビーム伝搬法によるInP系半導体のZn拡散濃度プロファイル計算(レーザ・量子エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本論文では, 陽差分法と比較して解の安定性, 計算時間の点に優れる陰的有限差分ビーム伝搬法(Implicit FD-BPM)を用いて, InP, InGaAs, InGaAsPの不活性Zn原子を考慮しない場合のアクセプタ濃度プロファイルの計算を行い, C-V法により求めたキャリヤ濃度プロファイルと比較した.拡散原子の不活性化に起因する若干の不一致はあるものの, 計算値と実験値には良い一致が得られた.更に, この計算値を用いて不活性Zn原子を考慮したアクセプタ濃度プロファイルを計算し, 不活性Zn原子を考慮しない場合のアクセプタ濃度プロファイルとキャリヤ濃度プロファイルの間に生じる若干の不一致の改善を行った.また, 解の安定性と計算時間の観点に関して陽差分法との比較を行った.本論文で用いた手法は, 陽差分法と比べて時間の刻み幅を大きくしても安定して計算することができ, かつ計算時間も短縮できることが分かった.以上の検討から, InP系半導体のZn拡散濃度プロファイル計算における陰的有限差分ビーム伝搬法の有用性を明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-01
著者
-
河野 健治
Nttフォトニクス研究所
-
河野 健治
アンリツ株式会社r&dセンター
-
河野 健治
アンリツ株式会社デバイス事業推進部
-
下瀬 佳治
アンリツ株式会社 技術統轄本部 研究所
-
川面 英司
アンリツ株式会社光デバイスR&Dセンター
-
吉野 啓明
アンリツデバイス株式会社
-
吉野 啓明
アンリツ株式会社デバイス事業推進部
-
川面 英司
アンリツ株式会社デバイス事業推進部
-
河野 健治
Ntt 光エレクトロニクス研
-
下瀬 佳治
アンリツ株式会社研究所
-
河野 健治
アンリツ株式会社光デバイスR&Dセンター
-
下瀬 佳治
アンリツ株式会社
関連論文
- 傾斜ビーム全反射型受光素子(Tilted-Beam's Total-Reflection Photodiode : TBR-PD)における受光感度特性の波動光学的解析(レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-12 1650nm 帯高出力 DFB-LD
- スポットサイズ変換導波路を集積した方向性結合形高速光スイッチモジュール
- スポットサイズ変換導波路を集積した方向性結合形高速光スイッチモジュール
- スポットサイズ変換光導波路を集積したInGaAlAs/InAlAs MQW導波路形4 x 4光スイッチジュール
- 傾斜ビーム全反射型受光素子(TBR-PD)における偏光特性の波動光学的な解析
- 傾斜ビーム全反射型受光素子(TBR-PD)の波動光学的設計
- 傾斜ビーム全反射型(Tilted-Beam's Total-Reflection : TBR)PDの提案
- 光ハイブリッド実装用1.3μm導波路型フォトダイオード
- 半田固定光回路部品のスクリ-ニング法に関する一考察--半田クリ-プ現象からの考察
- 集積型半導体波路部品の研究動向
- フルベクトル有限要素法(V-FEM)による進行波電極形電界吸収(TW-EA)光変調器の解析
- 光ファイバ-へのレ-ザ-光結合 (ファイバ-光学)
- 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD-III
- 光源と光ファイバー,導波路への光結合技術--光学設計,シミュレーション (特集 光通信システムの為の要素技術の現状(1))
- シ-ルド形速度整合Ti:LiNbO3光変調器の設計と試作 (超高速光エレクトロニクスの最前線) -- (超高速光変調)
- C-3-59 10Gbit/sプリアンプ内蔵型APD光受信モジュール(光モジュール)(C-3.光エレクトロニクス)
- Ti熱拡散LiNbO3光方向性結合器の直線多層分割法による3次元解析 (光集積回路特集)
- 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD-II
- 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD
- C-3-48 2次元断面光導波路解析用セミベクトル有限要素法のスパース行列化について
- 磁界ベクトル波動方程式の横方向2成分と磁界発散の式を用いる2次元断面光導波路解析用フルベクトル有限要素法の提案
- 磁界ベクトル波動方程式の横方向2成分と磁界発散の式を用いる2次元断面光導波路解析用フルベクトル有限要素法の提案
- 2次元断面光導波路解析のための高精度セミベクトル有限要素法の提案
- 2次元断面光導波路解析のための高精度セミベクトル有限要素法の提案
- C-3-152 2次元断面光導波路解析用フルベクトル有限要素法の提案
- C-3-151 光導波路の2次元断面解析のための高精度セミベクトル有限要素法の提案
- 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
- 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
- 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
- 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
- 不連続光導波路解析のための有限要素法を用いた双方向MoL-BPM (FE-MoL-BPM)の提案
- 半導体光導波路の端面反射率の3次元セミベクトル解析
- 各種スポット変換LD(SS-LD)の結合特性の3-D BPMによる比較
- 薄膜コアリッジ形スポット変換LDの3-DBPMによる設計
- 光源と光ファイバー・導波路への光結合設計技術 (特集1 光通信用デバイス/部品の光結合・接続技術とパッケージング)
- 陰的有限差分ビーム伝搬法によるInP系半導体のZn拡散濃度プロファイル計算(レーザ・量子エレクトロニクス)
- InGaAs, InGaAsPにおけるZn拡散プロファイルの理論的及び実験的検討
- Zn拡散濃度プロファイルの理論的及び実験的検討
- InGaAlAs/InAlAs MQW半導体導波路形光スイッチモジュールの動特性評価
- 方向性結合器形グレーティングスイッチと空間スイッチモジュールを用いたWDM-TDMクロスコネクトシステム
- 導波路形MQW光スイッチ
- 半導体導波路形空間光スイッチ (光スイッチングデバイス)
- 超高速光デバイスの動向
- 変形階段近似法によるTi熱拡散LiNbO_3光導波路の解析
- バッファ層を考慮したTi : LiNbO_3 光変調器用電極の解析とモデル
- MQW電界吸収型光強度変調器
- 半導体レーザの高出力化および光デバイスのセンシング応用