下瀬 佳治 | アンリツ株式会社

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概要

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• 下瀬 佳治

  アンリツ株式会社 技術統轄本部 研究所

• 下瀬 佳治

  アンリツ株式会社

• 森 浩

  アンリツ株式会社 技術統轄本部 研究所

• 藤田 幹明

  アンリツ

• 河野 健治

  Nttフォトニクス研究所

• 河野 健治

  アンリツ株式会社r&dセンター

• 河野 健治

  アンリツ株式会社デバイス事業推進部

• 山田 敦史

  アンリツ(株)技術統轄本部研究所

• 藤田 幹明

  アンリツ株式会社 技術統轄本部 研究所

• 川面 英司

  アンリツ株式会社光デバイスR&Dセンター

• 吉野 啓明

  アンリツデバイス株式会社

• 吉野 啓明

  アンリツ株式会社デバイス事業推進部

• 川面 英司

  アンリツ株式会社デバイス事業推進部

• 河野 健治

  Ntt 光エレクトロニクス研

• 下瀬 佳治

  アンリツ株式会社研究所

• 山田 敦史

  アンリツ株式会社

• 河野 健治

  アンリツ株式会社光デバイスR&Dセンター

• 森 浩

  アンリツ株式会社

• 藤田 幹明

  アンリツ株式会社

• 山田 敦史

  アンリツデバイス

• 高橋 良夫

  アンリツ株式会社研究所

• 菊川 知之

  アンリツ株式会社研究所

• 山田 敦史

  アンリツ株式会社研究所

• 長島 靖明

  アンリツ(株)技術統轄本部研究所

• 下瀬 佳治

  アンリツ(株)技術統轄本部研究所

• 菊川 知之

  アンリツ(株)技術統轄本部研究所

• 森本 慎太郎

  アンリツ株式会社 技術統轄本部 研究所

• 菊川 知之

  アンリツ株式会社

• 高橋 良夫

  アンリツ株式会社 技術統轄本部 研究所

• 中平 徹

  アンリツ株式会社 研究所

• 下瀬 佳治

  アンリツ株式会社 研究所

• 長島 靖明

  アンリツ株式会社

• 鈴木 徹也

  アンリツ株式会社

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著作論文

• C-4-12 1650nm 帯高出力 DFB-LD
• 陰的有限差分ビーム伝搬法によるInP系半導体のZn拡散濃度プロファイル計算(レーザ・量子エレクトロニクス)
• InGaAs, InGaAsPにおけるZn拡散プロファイルの理論的及び実験的検討
• MQW電界吸収型光強度変調器
• 半導体レーザの高出力化および光デバイスのセンシング応用

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