高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
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概要
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高抵抗Ruthenium(Ru)ドープlnP層を用いてシンプルな埋込み構造を持つ1.3μm帯InGaAsP系MQW-DFBレーザを実現した。Znドープのp型InP基板上に成長した高抵抗Ru-InP膜は、従来用いられる高抵抗Fe-InP膜に比べ、Zn-InP基板からのZn拡散を抑制することをSIMS分析により明らかにした。作製したRu-InP埋込み構造DFBレーザは、25℃から95℃の温度範囲で良好なL-I特性を示し、25℃でのL-I特性の面内均一性に優れていることを確認した。また10Gb/s直接変調時のアイパターン測定において95℃までアイ開口が得られた。 85℃、8mW光出力でのAPC信頼性試験では1100時間以上での安定動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-08-20
著者
-
岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健志
Nttフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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