湯田 正宏 | 日本電信電話株式会社 フォトニクス研究所
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概要
関連著者
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岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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岸 健志
Nttフォトニクス研究所
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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湯田 正宏
日本電信電話株式会社 フォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
著作論文
- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)