電界吸収型光ゲートの動的消光比測定
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概要
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近年大容量ノード実現のための有効な手段として光ATMスイッチが注目されている。光ATMスイッチではセルごとにガードタイム内で高速で切り替えが行われるために, 用いられるゲートは高速・高消光比であることが要求されているが, 従来動的消光特性は10%-90%の立ち上がり/立ち下がり時間で評価されていた。今回, 光短パルスをプローブとして用いる方法を考案し, 高時間分解能・広ダイナミックレンジの動的消光比測定を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
吉野 薫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
柴田 泰夫
NTTネットワークサービスシステム研究所
-
脇田 紘一
中部大学(元ntt光エレクトロニクス研究所)
-
脇田 紘一
Ntt
-
脇田 紘一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
柴田 泰夫
Nttフォトニクス研究所
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