高速光変調器及びその応用素子の現状と展望
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概要
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直接変調に替わる低チャープ高速外部変調器及びその応用素子の研究の現状と将来展望について動作電圧の低減、光源とのモノリシック集積に重点をおいて論じている。構成材料に誘電体、半導体を用いた素子は各々小信号変調周波数は100GHz,70GHz以上に至っており、多重量子井戸構造変調器では大信号動作で40Gbit/s伝送が可能となっている。吸収形高速光強度変調器及びその集積化光源による短光パルスの発生、制御についても紹介し、基幹伝送用ばかりでなく、無線や次世代の光ソリトン通信への応用も期待できることを示す。とくに光伝送用高速半導体変調器に重点をおいて現状の到達点を紹介し、TDMの限界について変調器特性の観点から議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-25
著者
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