GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作
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概要
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- 2012-06-15
著者
-
荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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