28pPSB-66 フォトニック結晶連結共振器における強束縛モード分散の観測(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2013-03-26

著者

• 納富 雅也

  NTT物性基礎研

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 清水 薫

  Ntt物性基礎研

• 武居 弘樹

  Ntt物性基礎研

• 松田 信幸

  東北大通研

• 納富 雅也

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 都倉 康弘

  Icorp:ntt物性基礎研

• 倉持 栄一

  Ntt物性基礎研:jst-crest

• 都倉 康弘

  ICORP-JST:NTT物性基礎研

• 松田 信幸

  NTT物性基礎研

• 納富 雅也

  NTT物性基礎研:NTTナノフォトニクスセ

• 松田 信幸

  NTT物性基礎研:NTTナノフォトニクスセ

関連論文

• 21aEH-10 一次元量子スピン系における空間量子コヒーレンスとスピンペア・エンタングルメントとの関係(21aEH 量子論基礎・量子カオス系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 窒化ニオブ超伝導単一光子検出器とアバランシェフォトダイオードの時間ジッタ比較 (超伝導エレクトロニクス)
• 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXG-9 微小磁石集積量子ドット電子双極子スピン共鳴におけるオーバーハウザー場の緩和測定セットアップ(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTR-13 フォトニックアモルファスダイヤモンドにおける3次元フォトニックギャップ形成(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
• 22pTR-13 フォトニックアモルファスダイヤモンドにおける3次元フォトニックギャップ形成(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aHV-10 零磁場スピン蓄積の超微細相互作用による検出(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-9 並列結合2重量子ドットを含むAharonov-Bohm干渉計における位相緩和(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXG-7 3つの電極と結合した2重量子ドットにおける電子輸送(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-5 ドット間の結合が制御できる直列結合縦型ダブルドットの電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXG-8 微小磁石を用いた電子スピン共鳴におけるスピン緩和(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pTX-13 微小磁石集積型EDSR量子ドットサンプルに見られる核スピンの動的分極効果(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-7 自己形成InAsドットを含む4ゲート縦型構造に形成された多重量子ドットの電気伝導特性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aVE-8 量子ドット電荷検出計と結合した並列結合2重量子ドットにおける量子干渉効果(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-4 並列結合2重量子ドット系における近藤効果(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-12 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-8 並列結合2重ドットにおけるAharonov-Bohm効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aPS-10 多端子構造を持つ量子ドット系における有限バイアスでの輸送特性(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aTB-11 三次元光格字にトラップされたBose-Fermi混合原子気体の量子相転移(20aTB 量子エレクトロニクス(冷却原子気体),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 電気的手法による量子ドット中のスピン量子ビット操作
• 26pWH-8 高周波印加時の並列結合ダブルドットの特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• CS-6-7 InGaAsPフォトニック結晶ナノ共振器を用いた低消費エネルギー・超小型光ビットメモリ(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
• 20pXK-8 単一原子検出用フォトニック結晶共振器の設計(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
• 29pYA-2 長距離相互作用を持つスピン系と結合したスピンキュービットの緩和現象
• 26aZE-7 三次元光格子中Bose-Fermi混合原子気体のself-trapping効果(量子エレクトロニクス(Fermi粒子系,及びBose-Fermi混合系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• CI-2-3 シリコン細線光導波路における光非線形現象とその応用(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• 30pTX-9 スピン閉塞状態での過渡現象(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• シリコン細線導波路を用いた量子もつれ光子対発生 (特集 新世代通信を拓くシリコンフォトニクス技術)
• 21aTA-13 直列二重ドットにおけるコヒーレント伝導(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-12 少数電子並列結合ダブルドットにおける結合及び反結合軌道の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
• 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
• 23aRF-6 Gutzwiller近似による三次元光格子中ボース・フェルミ混合原子気体の解析(量子エレクトロニクス(光学格子系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 23pRB-2 二準位ボース原子気体におけるコヒーレント放射(23pRB 量子エレクトロニクス(BEC理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pYK-5 ナノスピントロニクス素子によるスピンフィルタ(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
• 窒化ニオブ超伝導単一光子検出器とアバランシェフォトダイオードの時間ジッタ比較(SQUID,一般)
• 27aYE-5 量子エラーを含むShorのアルゴリズムのシミュレーション(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 15aTF-5 密度行列繰り込み群による Shor のアルゴリズムのシミュレーション(量子エレクトロニクス, 領域 1)
• 28pXG-5 波動関数のテンソル積分解を用いた量子計算機シミュレータ(量子エレクトロニクス(量子情報理論))(領域1)
• 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 23pXL-13 並列二重ドット系のFull Counting Statistics I(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pXL-14 並列二重ドット系のFull Counting Statistics II(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-11 並列二重ドットにおける干渉効果と輸送特性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• SOI基板を用いた酸化物クラッド2次元フォトニック結晶
• SC-4-2 SiフォトニクスにむけたSi系フォトニック結晶
• 24pWQ-10 微小磁石を配置した量子ドット2量子ビットのスワップ演算(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• Siフォトニクスに向けたSi系フォトニック結晶材料
• 20pPSB-12 スピン軌道相互作用および傾斜磁場を利用した単一量子ドットにおける電子スピン共鳴(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• シリコン導波路を用いた量子もつれ発生 (特集 進化するシリコンフォトニクス)
• 26pD-1 微小半導体リング構造のトンネル特性
• 24pWQ-2 2重量子ドットを含むアハロノブ・ボーム干渉計における3端子電子輸送(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23pSA-12 弱い二次元短周期ポテンシャルアレイ中の電子の輸送特性
• シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,光物性)
• 電場による単電子スピンの制御
• 23aWJ-8 傾斜磁場下のナノビーム伝導(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pWJ-4 3端子構造を持つ量子ドット系の輸送特性(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTG-9 スピン軌道相互作用のある量子細線の散乱理論(量子細線,量子井戸・超格子,輸送現象,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pRC-2 並列2重ドットにおける擬スピン近藤効果に対する結合パラメータの効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aXL-4 並列結合2重ドットにおける擬スピン近藤効果(23aXL 量子ドット(理論I),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-1 並列結合2重ドット系における電子輸送(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-4 縦横型量子ドットの幾何学的効果と準安定状態(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXP-3 二次元フォトニッククリスタルスラブ中のダイポールからの発光特性(領域5, 領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 27pXP-3 二次元フォトニッククリスタルスラブ中のダイポールからの発光特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 15pTG-2 フォトニッククリスタルスラブ構造からの発光の解析(量子エレクトロニクス, 領域 1)
• 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ナノプリント技術と有機機能性フォトニック結晶
• C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 25aHB-9 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aHB-9 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 23pTN-7 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 23pTN-7 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• C-3-75 フォトニック結晶導波路スローライトによる高分解能可変遅延とその応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 光の断熱波長変換と共振器オプトメカニクス : 二層型フォトニック結晶を例に
• 光集積技術としてのフォトニック結晶
• 24aAC-5 誘電体球で構成したPAD構造における光禁制帯形成(24aAC 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・超イオン導電体,領域5(光物性))
• 24aAC-5 誘電体球で構成したPAD構造における光禁制帯形成(24aAC 領域5,領域1合同フォトニック結晶・超イオン導電体,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ
• 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ
• 28pPSB-66 フォトニック結晶連結共振器における強束縛モード分散の観測(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク