姜 海松 | 九州大学 総合理工学府

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• 姜 海松

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• 姜 海松

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• 浜本 貴一

  九州大学総合理工学府

• 松尾 慎治

  NTTフォトニクス研究所

• バスタワロス ハニー・アヤド

  九州大学 総合理工学府

• 浜本 貴一

  九州大学 総合理工学府

• 松尾 慎治

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田原 裕一朗

  九州大学 総合理工学府

• バスタワロス ハニー・アヤド

  九州大学総合理工学府

• 田原 裕一朗

  九州大学総合理工学府

• 茶円 豊

  九州大学総合理工学府

• 萩尾 拓真

  九州大学総合理工学府

• 地蔵堂 真

  九州大学工学部

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• 松尾 慎治

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 田島 章雄

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 日隈 康裕

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• 西角 拓高

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• 鶴田 一魁

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 鶴田 一魁

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• 田島 章雄

  Nec システムプラットフォーム研

• 田島 章雄

  NECグリーンプラットフォーム研究所

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• 中村 誠希

  九州大学総合理工学府

• 木津 昴明

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• 松男 慎治

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• 浜本 貴一

  九州大学工学部:九州大学総合理工学府

• 木津 昂明

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• 鶴田 一魅

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• 徐 競

  デンマーク工科大学

• Peucheret Christophe

  デンマーク工科大学

• 萩尾 拓真

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• 茶円 豊

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• 日隈 康裕

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• 木津 昴明

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著作論文

• 横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討
• C-4-9 アクティブMMIを用いた異モード間双安定レーザーの広ヒステリシス幅の実現(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• C-4-11 アクティブMIMIによる広ヒステリシス幅双安定レーザー(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-4-22 Active MMI双安定レーザーを用いた光RAM用2bit集積メモリ素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-12 光RAM用Active MMI双安定レーザーの低電流動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 異モード間双安定アクティブMMIを用いた光RAM素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 異モード間双安定アクティブMMIを用いた光RAM素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 異モード間双安定アクティブMMIを用いた光RAM素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-3-34 横モード間双安定動作型アクティブMMI双安定レーザーの設計(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-32 光RAM用集積メモリ素子のファイバアレイ光結合に関する予備的検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-35 横モード間双安定動作型アクティブMMI双安定レーザーの低閾値電流(39mA)動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討
• C-3-44 単一波長アクティブMIMI双安定レーザーの全光ON-OFF動作(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 非対称アクティブMMIによる単一波長レーザー発振 (光エレクトロニクス)
• 非対称アクティブMMIによる単一波長レーザー発振 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-15 アクティブMMILDの単一波長室温連続発振(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-10 アクティブMMI横モード間双安定レーザーの高速全光メモリ動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 非対称アクティブMMIによる単一波長レーザー発振(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 非対称アクティブMMIによる単一波長レーザー発振(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 非対称アクティブMMIによる単一波長レーザー発振

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