横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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概要
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光RAM用のメモリ素子の高集積化を実現するには、小型化・低動作電流に加えて、全素子が同一電流で駆動できるための広いヒステリシス幅の確保が望ましい。このため我々は、相互利得抑制領域長を比較的自由に設計することが可能な"横モード光間"双安定動作のアクティブMMI型メモリ素子を検討している。特に今回は、双安定動作に関する検討を進め、素子を小型化しても、より広い30mA(動作電流比で40%以上)というヒステリシス幅を初めて確認した。さらに、この結果に基づき、初めて2bit集積素子を試作し、広いヒステリシス幅とともに、優れた特性均一性を確認したので報告する。
- 2009-10-15
著者
-
松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所
-
松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
田原 裕一朗
九州大学 総合理工学府
-
バスタワロス ハニー・アヤド
九州大学 総合理工学府
-
姜 海松
九州大学 総合理工学府
-
浜本 貴一
九州大学 総合理工学府
-
姜 海松
九州大学総合理工学府
-
バスタワロス ハニー・アヤド
九州大学総合理工学府
-
田原 裕一朗
九州大学総合理工学府
-
浜本 貴一
九州大学総合理工学府
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