萩尾 拓真 | 九州大学総合理工学府
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概要
関連著者
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姜 海松
九州大学 総合理工学府
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九州大学総合理工学府
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九州大学総合理工学府
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萩尾 拓真
九州大学総合理工学府
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茶円 豊
九州大学総合理工学府
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松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所
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松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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地蔵堂 真
九州大学工学部
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九州大学総合理工学府
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松尾 慎治
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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NECシステムプラットフォーム研究所
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日隈 康裕
九州大学総合理工学府
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鶴田 一魁
宮崎大学工学部電気電子工学科
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鶴田 一魁
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九州大学 総合理工学府
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田島 章雄
Nec システムプラットフォーム研
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九州大学総合理工学府
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九州大学 総合理工学府
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バスタワロス ハニー・アヤド
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九州大学工学部:九州大学総合理工学府
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木津 昂明
九州大学総合理工学府
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鶴田 一魅
九州大学総合理工学府
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徐 競
デンマーク工科大学
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Peucheret Christophe
デンマーク工科大学
著作論文
- C-3-34 横モード間双安定動作型アクティブMMI双安定レーザーの設計(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-32 光RAM用集積メモリ素子のファイバアレイ光結合に関する予備的検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-35 横モード間双安定動作型アクティブMMI双安定レーザーの低閾値電流(39mA)動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-44 単一波長アクティブMIMI双安定レーザーの全光ON-OFF動作(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 アクティブMMILDの単一波長室温連続発振(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-10 アクティブMMI横モード間双安定レーザーの高速全光メモリ動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 非対称アクティブMMIによる単一波長レーザー発振(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 非対称アクティブMMIによる単一波長レーザー発振(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)