多元系シリサイドの新展開 : 半導体BaSi_2を例に
スポンサーリンク
概要
著者
-
今井 庸二
物質工学工業技術研究所
-
今井 庸二
(独)産業技術総合研究所
-
末益 崇
筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻
-
末益 崇
筑波大学大学院・数理物質科学研究科
-
今井 庸二
産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
関連論文
- チタン又は酸化チタン(IV)基板にヒドロキシアパタイトを熱プラズマで溶射した層の付着性
- レーザCVD法と塗布光分解法による成膜プロセス(成膜プロセスの新しい展開)
- レーザー化学プロセシングによる機能膜の作製-レーザーCVD法及び塗布光分解法-
- 結晶成長技術
- Si 結晶中に埋め込まれた FeSi_2 のTEM観察
- CS-12-8 シリコンナノフォトニクスへの期待(CS-12. 次世代ナノ技術と情報通信, エレクトロニクス2)
- 5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
- Traveling Liquidus-Zone (TLZ) 法により成長するバルクInGaAsの単結晶化初期状態の観察
- Traveling Liquidus-Zone 法で成長するバルクInGaAsの単結晶化メカニズムの検討
- 23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
- モリブデン膜及びタンタル酸化物膜のレ-ザ-CVD法による作製
- 二つの熱電変換相が直列及び並列に配置された場合の電位及び温度分布
- 3E39 Ta(OCH_3)_5 の KrF レーザー光分解によるタンタル酸化物膜の作製 (2)
- レ-ザ-による耐食性膜の作製 (セラミックスへのレ-ザ-利用)
- 2E44 三酸化モリブデン膜の形態と触媒特性
- 1I24 Si-B 系熱電材料の合成法と特性
- 2H02 CVD 法により合成された Si-B 膜の熱電特性
- 2A01 シランとジボランを用いた CVD 法による Si-B 系化合物の合成
- 1I22 シランとフェロセンを用いた CVD 法による Fe-Si 系化合物の合成
- 水からの水素製造技術に関する材料問題--特に熱化学法について
- Control of the Conduction Type of Nondoped High Mobility β-FeSi_2 Films Grown from Si/Fe Multilayers by Change of Si/Fe Ratios
- 多元系シリサイドの新展開 : 半導体BaSi_2を例に
- Band Diagrams of BaSi_2/Si Structure by Kelvin Probe and Current-Voltage Characteristics
- Optical Absorption Edge of Ternary Semiconducting Silicide Ba_Sr_xSi_2
- Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi_2 Thin Films on Si(111) Substrates by Reactive Deposition Epitaxy
- Epitaxial Growth of Si-Based Ternary Alloy Semiconductor Ba_Sr_xSi_2 Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi_2 Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- 環境に優しい光半導体 : β-FeSi_2の現状と将来展望
- 鉄シリサイド光デバイスの最前線 (特集 機能に富んだ材料シリコン)
- Direct Growth of [100]-Oriented High-Quality β-FeSi_2 Films on Si(001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy(Semiconductors)
- Donor and Acceptor Levels in Undoped β-FeSi_2 Films Grown on Si (001) Substrates : Semiconductors
- Room Temperature 1.6 μm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi_2 Active Region
- 環境にやさしい直接遷移型半導体β-FeSi_2の研究の現状と将来展望
- Improvement of the Electrical Properties of β-FeSi_2 Films on Si(001)by High-Temperature Annealing
- 分子線エピタキシー法によるβ-FeSi_2球のSi中埋込み構造作製と高温アニールによる赤外フォトルミネッセンスの増大
- 熱反応堆積法を利用した赤外発光β-FeSi2球及び高移動度β-FeSi2膜の作製:高温アニールによる特性改善 (〈特集〉環境半導体)
- Growth of Continuous and Highly (100)-Oriented β-FeSi_2 Films on Si(001) from Si/Fe Multilayers with SiO_2 Capping and Templates
- フルオロトリエトキシシランを用いたCVDによる酸化ケイ素薄膜の合成
- Influence of As Autodoping from GaAs Substrates on Thick Cubic GaN Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy
- One Possibility of Obtaining Bulk GaN: Halide VPE Growth at 1000℃ on GaAs (111) Substrates(Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
- Thick and Smooth Hexagonal GaN Growth on GaAs (111) Substrates at 1000℃ with Halide Vapor Phase Epitaxy
- Improvement of 1.5 μm Photoluminescence from Reactive Deposition Epitaxy (RDE) Grown β-FeSi_2 Balls in Si by High Temperature Annealing
- Photoluminescence from Reactive Deposition Epitaxy (RDE) Grown β-FeSi_2 Balls Embedded in Si Crystals
- 非平衡状態にある合金のいくつかの熱力学的関係-1-物理反応が進行しているときのGibbs-Duhem式〔英文〕
- ニッケル亜鉛合金の電解析出に関する研究-5-ニッケル-亜鉛合金電析における界面インピ-ダンス
- 硫酸銅,硫酸ニッケルおよび硫酸亜鉛の含水結晶とその希釈溶液の溶解熱ならびに吸収スペクトルについて
- ニッケル-亜鉛合金の電解析出と電着合金の熱力学的評価〔ニッケル-亜鉛合金の電解析出に関する研究-4-〕
- 硫酸ニッケルと硫酸亜鉛の混合含水結晶および混合水溶液の吸収スペクトル,溶解熱および脱水について〔ニッケル亜鉛合金の電解析出に関する研究-3-〕
- 定電流法および定電位法による硫酸浴からのニッケル-亜鉛合金の電析〔ニッケル-亜鉛合金の電解析出に関する研究-2-〕
- プラズマCVD法によるモリブデン薄膜の生成
- Ti基板のプラズマCVD法によるMo-Siコ-ティングとその高温酸化
- 金属-イオン-水系の電位-pH図の計算機作図アルゴリズムと,ヨウ素-ヨウ化物溶液中での腐食への応用〔英文〕
- 局部腐食モニタリング法の研究-1-直線分極法腐食モニタリングでの分極電流分布とその分極抵抗値への影響〔英文〕
- GP-IB付計測器のシステム化について(資料)
- マグネシウム-ヨウ素系熱化学水素製造法の中間操作段及び輸送過程に対する金属材料の耐食性と耐***-ジョン・コロ-ジョン性
- ヨウ素,酸素,水素,ヨウ化水素及び水蒸気からなるガス雰囲気中での腐食のGurry図による熱力学的考察〔英文〕
- ヨウ素,ヨウ化水素及び水を含む高温ガス(第3,4段反応環境)に対する金属材料の耐食性
- シリサイド半導体の応用 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
- Siクラスレート化合物
- マグネシウム-ヨウ素系熱化学水素製造法の装置材料の耐食性及びプラズマCVD法による耐食性コ-ティング
- 熱化学法水素製造技術と材料問題