熱反応堆積法を利用した赤外発光β-FeSi2球及び高移動度β-FeSi2膜の作製:高温アニールによる特性改善 (〈特集〉環境半導体)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 結晶成長技術
- Si 結晶中に埋め込まれた FeSi_2 のTEM観察
- CS-12-8 シリコンナノフォトニクスへの期待(CS-12. 次世代ナノ技術と情報通信, エレクトロニクス2)
- 5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
- Traveling Liquidus-Zone (TLZ) 法により成長するバルクInGaAsの単結晶化初期状態の観察
- Traveling Liquidus-Zone 法で成長するバルクInGaAsの単結晶化メカニズムの検討
- 23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
- Control of the Conduction Type of Nondoped High Mobility β-FeSi_2 Films Grown from Si/Fe Multilayers by Change of Si/Fe Ratios
- 多元系シリサイドの新展開 : 半導体BaSi_2を例に
- Band Diagrams of BaSi_2/Si Structure by Kelvin Probe and Current-Voltage Characteristics
- Optical Absorption Edge of Ternary Semiconducting Silicide Ba_Sr_xSi_2
- Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi_2 Thin Films on Si(111) Substrates by Reactive Deposition Epitaxy
- Epitaxial Growth of Si-Based Ternary Alloy Semiconductor Ba_Sr_xSi_2 Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi_2 Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- 環境に優しい光半導体 : β-FeSi_2の現状と将来展望
- 鉄シリサイド光デバイスの最前線 (特集 機能に富んだ材料シリコン)
- Direct Growth of [100]-Oriented High-Quality β-FeSi_2 Films on Si(001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy(Semiconductors)
- Donor and Acceptor Levels in Undoped β-FeSi_2 Films Grown on Si (001) Substrates : Semiconductors
- Room Temperature 1.6 μm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi_2 Active Region
- 環境にやさしい直接遷移型半導体β-FeSi_2の研究の現状と将来展望
- Improvement of the Electrical Properties of β-FeSi_2 Films on Si(001)by High-Temperature Annealing
- 分子線エピタキシー法によるβ-FeSi_2球のSi中埋込み構造作製と高温アニールによる赤外フォトルミネッセンスの増大
- 熱反応堆積法を利用した赤外発光β-FeSi2球及び高移動度β-FeSi2膜の作製:高温アニールによる特性改善 (〈特集〉環境半導体)
- Growth of Continuous and Highly (100)-Oriented β-FeSi_2 Films on Si(001) from Si/Fe Multilayers with SiO_2 Capping and Templates
- Influence of As Autodoping from GaAs Substrates on Thick Cubic GaN Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy
- One Possibility of Obtaining Bulk GaN: Halide VPE Growth at 1000℃ on GaAs (111) Substrates(Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
- Thick and Smooth Hexagonal GaN Growth on GaAs (111) Substrates at 1000℃ with Halide Vapor Phase Epitaxy
- Improvement of 1.5 μm Photoluminescence from Reactive Deposition Epitaxy (RDE) Grown β-FeSi_2 Balls in Si by High Temperature Annealing
- Photoluminescence from Reactive Deposition Epitaxy (RDE) Grown β-FeSi_2 Balls Embedded in Si Crystals