23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 森 嘉久

  岡山理大理

• 森 嘉久

  岡山理科大学理学部 基礎理学科

• 鵜殿 治彦

  茨城大工

• 鵜殿 治彦

  茨城大学工学部電気電子工学科

• 財部 健一

  岡理大理

• 長谷川 文夫

  筑波大学物理工学系

• 末益 崇

  筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻

• 末益 崇

  筑波大

• 財部 健一

  岡山理科大学

• 住田 行常

  岡山理科大学

• 井貝 智行

  岡山理科大学

• 寺西 良太

  岡山理科大学

• 住田 行常

  岡山理大理

• 末益 崇

  筑波大学 物理工学系

• 長谷川 文夫

  筑波大学

• 森 嘉久

  岡山理科大学理学部

• 鵜殿 治彦

  茨城大

• 財部 健一

  岡山理科大

• 鵜殿 治彦

  茨城大学

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