融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 高圧炉を用いたZn分圧制御融液成長ZnSe結晶のその場熱処理による格子定数の変化についてBond法による絶対測定により評価した.結晶温度T_<ZnSe>(A)=1000℃で熱処理した試料はas-grwon結晶の格子定数(0.566902±0.0000025nm)と比較した場合, 熱処理時のZn室温度が低い場合 (T_<Zn>(A)<600℃) には格子定数は7x10^<-6>nm程度減少し, 高い場合 (T_<Zn>(A)≧750℃) には格子定数が1.2x10^<-5>nm程増加した.またT_<Zn>(A)=450℃の試料では密度が減少し, 高抵抗な結晶となった.これらの結果からZn室温度が低い場合には結晶中のZn空孔の増加が主要因になり, 格子定数の減少が生じたと考えられる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-05-22

著者

• 鵜殿 治彦

  茨城大工

• 岡田 安正

  電総研

• 鵜殿 治彦

  茨城大学工学部電気電子工学科

• 岡田 安正

  電子技術総合研究所電子基礎部

• 菊間 勲

  茨城大学工学部電気電子工学科

• 岡田 安正

  電子技術総合研究所

• 鵜殿 治彦

  茨城大

• 鵜殿 治彦

  茨城大学工学部

関連論文

• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• BP単結晶ウエハーの作成と計画
• K_7P_3O_フラックスを用いたKTP結晶の屈折率不均一改善 : バルク成長 I フラックス法
• 結晶成長技術
• 23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
• X線2結晶法によるGaAs(001)表面の評価
• X線回折法によるMBE CuInSe2エピタキシャル層の構造的評価 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--結晶構造)
• Gradient Freeze法により成長したGaAs中のSiが関与する欠陥
• MBE成長CIS薄膜のEXAFSによる研究 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--局所構造)
• 大型KTP結晶における屈折率の変化と二倍高調波発生への影響
• 半導体鉄シリサイドの結晶成長と基礎物性
• 磁気バルブ用基板結晶GGGの格子定数精密測定
• 29aC6 KTP結晶内における屈折率一様性に関する測定(溶液成長I)
• 6p-C-8 Siの室温から1500Kでの熱膨張係数の理論的検討
• 31p GF-14 銅イオン導電体"Rb_4Cu_I_7Cl_"の相転移
• 10a-P-9 LiNbO_3単結晶面上hillocksの内部構造
• 4a-L-11 LiNbO_3結晶表面のhillockとpit
• 融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化
• 鉄シリサイドバルク成長と特性 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
• エコ・エレクトロニクス材料β-FeSi2を用いた光CTスキャンセンサの開発
• 半導体鉄シリサイドバルク結晶の溶液成長 (〈特集〉環境半導体)
• 融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化
• 融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化
• 高Si濃度GaAs結晶中の熱処理による欠陥反応
• 格子定数の精密測定法
• 25aTJ-11 半導体Siクラスレートの探索(25aTJ 籠状物質(クラスレート化合物),領域7(分子性固体・有機導体))
• 現代における戦争と科学技術 : SDI問題を考える
• 28p-LA-2 日本のSDI協力問題(SDIと物理学者,物理学者の社会的責任シンポジウム)
• 24pSA-5 β-FeSi_2の高圧物性(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• Si基板上Mgスパッタ膜のアニール処理によるMg_2Siの合成
• シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク