24pSA-5 β-FeSi_2の高圧物性(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
22pGR-14 B_4Cにおける高圧下での微細構造変化(2)(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
22pGR-12 αボロンの高温高圧合成の可能性II(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
-
23aWL-5 加圧によるトロイダルコイルのインダクタンスと格子の変化(23aWL 磁性共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
結晶成長技術
-
30pTE-11 CoドープZnOの高圧構造相転移(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
-
30pYG-2 B_4Cにおける高圧下での微細構造変化(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
22aPS-13 放射光光電子分光法による環境半導体β-FeSi_2の電子状態研究(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
22pWF-11 α-Boronの高温高圧合成の可能性(2)(22pWF クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26aTF-2 α-Boronの高温高圧合成の可能性(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
-
26aTF-1 α-Boronにおけるクラスター構造と電子密度の圧力変化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
-
24pWG-5 α-FeSi_2における電子密度状態の圧力変化(X線・粒子線(X線回折・核共鳴分光),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
Al_xGa_As:Seの深い不純物準位 : 高圧下のICTS
-
27p-N-2 AlGaAs:Se中のDXセンターの多重電子放出
-
23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
-
24p-M-19 三重障壁共鳴トンネリング・ダイオードの電流-電圧特性に及ぼす圧力効果
-
3a-M-5 Al_xGa_As中の深い局在準位による発光
-
23aYK-3 Zintl相BaSi_2の高圧下におけるアモルファス解析(23aYK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
28p-C-2 (GaAs)n/(AlAs)n TypeI超格子におけるフォトルミネッセンスの圧力効果
-
23aZB-3 α-Boronの高圧下における20面体クラスターの変化(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
-
28p-S-6 高圧下におけるカルコパイライト半導体の内部座標
-
28p-S-5 カルコパイライト半導体AgGaX_2(X=Te, S)の高圧相
-
AgGaX_2(X=S, Se, Te)の正方晶歪みと内部歪みの圧力効果
-
29a-ZH-2 Capacitance-XAFS:site-selective XAFSの可能性
-
28p-ZA-8 内殻励起によるAlGaAs:Se半導体中の深い不純物準位の特性評価
-
30p-YN-11 Te-DXセンターの電子放出に及ぼす圧力効果
-
3a-J-10 DXセンターの多重性と格子緩和II : 圧力下におけるICTSスペクトル実験
-
30p-L-11 DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル実験 : DXセンターの多重性と格子緩和
-
12a-DF-7 Si-DX, Te-DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル : DXセンターの多重性と格子緩和
-
30a-M-1 DXセンターの多重性と格子緩和 : 圧力下のICTSスペクトル実験
-
28a-D-10 ICTS法を用いたAl_xGa_As:Te中のDXセンターの圧力効果
-
24a-M-4 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
-
5a-D-1 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
-
6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
-
30aRC-7 α菱面体晶ボロンの高圧X線構造解析(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
-
27pWN-12 ZnOの超高圧X線構造解析(ゼオライト・高圧物性)(領域7)
-
29pXS-11 (Ag_2Te)_x-(AgPO_3)_(X=0.3,0.5)ガラスの赤外スペクトル(超イオン伝導体)(領域5)
-
21aTB-12 (Ag_2M)_x-(AgPO_3)_ の低エネルギー赤外スペクトル
-
28p-C-3 (GaAs)m(AlAs)n人工超格子における光学スペクトルの圧力効果
-
24p-M-9 (GaAs)_m(AlAs)_n人工超格子における反射スペクトルの圧力効果II
-
2a-D-9 (GaAs)m(AlAs)n超格子の反射スペクトルの圧力効果
-
30a-Z-13 超高圧低温下における(GaAs)m(AlAs)m超格子のフォトルミネッセンス (III)
-
3p-C-13 超高圧低温下における(GaAs)_m(AlAs)_n超格子のフォトルミネッセンス (II)
-
液体ヘリウム3可視化クライオスタットの製作
-
毛利信男,村田惠三,上床美也,高橋博樹編, 高圧技術ハンドブック, 丸善, 東京, 2007, xi+427p, 26.5×19cm, 本体20,000円[専門書]
-
18pXF-6 Zintl相BaSi_2の高圧相の探索(液体金属(アモルファス・溶融塩・その他),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
18pXC-2 β-FeSi_2の圧力誘起構造相転移(X線(X線・粒子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
24aZB-9 Co_xZn_O(x=0,0.05,0.10)の圧力誘起相転移(24aZB 分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
-
30pXE-12 α-FeSi_2の高圧構造物性(30pXE 液体金属(液体混合系・アモルファス・結晶),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
27aYK-9 ZnOの超高圧X線構造解析(分子磁性, 高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
27aYT-1 環境半導体BaSi_2の高圧物性(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
24pYG-10 球殻中の熱対流における振動解への遷移(乱流・安定性・音波,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
27aYG-10 β-FeSi_2の高圧下における結晶構造と電子構造(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
-
20aPS-61 マイクロ波 ECR プラズマを用いた CN_x の作製と評価
-
29a-K-1 Si/Si_Ge_xにおけるファトルミネッセンススペクトルの圧力依存性II
-
12a-DE-9 Si/Si_Ge_Xにおけるフォトルミネッセンススペクトルの圧力依存性
-
28a-ZH-3 フォトルミネッセンスによるGaAs/AlAs超格子の圧力効果
-
28a-C-4 AlAs/GaAs短周期超格子の電子構造とその圧力及び歪効果
-
半導体鉄シリサイドの結晶成長と基礎物性
-
6a-A-1 ブリッジマンアンビル法による静水圧下の電気伝導度測定
-
30p-YM-13 AgGaS_2におけるuパラメータとエネルギーギャップの圧力変化
-
12a-DF-15 圧力誘起によるAgGaS_2の構造変化とエネルギーギャップ
-
第5回高圧半導体物理学国際会議報告
-
13p-PS-10 1T-V_Te_2の遠赤外反射スペクトル
-
28pZB-1 BeO の高圧相
-
23pTF-5 高圧下におけるリチウムの反射測定
-
Liの圧力誘起構造相転移
-
22pZK-4 高圧下におけるリチウムの光学実験
-
22pZK-3 超高圧下でのリチウム分子の探求
-
融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化
-
鉄シリサイドバルク成長と特性 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
-
エコ・エレクトロニクス材料β-FeSi2を用いた光CTスキャンセンサの開発
-
半導体鉄シリサイドバルク結晶の溶液成長 (〈特集〉環境半導体)
-
融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化
-
融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化
-
A-346 球殻中の熱対流による振動解への遷移
-
25aTJ-11 半導体Siクラスレートの探索(25aTJ 籠状物質(クラスレート化合物),領域7(分子性固体・有機導体))
-
27a-B-6 InSの誘電関数と光学的異方性
-
2a-A-10 InSの吸収端及び格子振動の圧力効果
-
13p-PS-33 3-6族化合物半導体InS,InSeの光学反射率
-
-
第21回半導体物理学国際会議とそのサテライト会議
-
29a-M-3 InSの偏光反射率
-
1a-B-10 InSの高温下での電気抵抗の異方性
-
2a-F-20 II-VI族化合物半導体InSにおける光学的異方性
-
2a-K-3 単結晶InSにおける遠赤外スペクトルの偏光依存症
-
2a-K-12 III-VI族化合物半導体InSの結晶構造とイオン性
-
3p-Z-10 InS の格子振動スペクトル (II)
-
24pSA-5 β-FeSi_2の高圧物性(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク