2a-K-3 単結晶InSにおける遠赤外スペクトルの偏光依存症

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1981-03-30

著者

• 若村 国夫

  岡山理科大学基礎理学科

• 財部 健一

  岡理大理

• 財部 健一

  岡山理科大学

関連論文

• 岡山県の揚水用水車 : その分布と構造について
• 岡山県の精米用水車 : その分布,構造及び使用形態
• 23aWL-5 加圧によるトロイダルコイルのインダクタンスと格子の変化(23aWL 磁性共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 30pTE-11 CoドープZnOの高圧構造相転移(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aPS-13 放射光光電子分光法による環境半導体β-FeSi_2の電子状態研究(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aTF-1 α-Boronにおけるクラスター構造と電子密度の圧力変化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• Al_xGa_As:Seの深い不純物準位 : 高圧下のICTS
• 27p-N-2 AlGaAs:Se中のDXセンターの多重電子放出
• 超高圧下生命探索 : 20GPaまでの探索
• 窒化炭素の合成と評価
• 23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
• 28p-C-4 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流 : 電圧特性に及ぼす圧力効果II
• 24p-M-19 三重障壁共鳴トンネリング・ダイオードの電流-電圧特性に及ぼす圧力効果
• 3a-M-5 Al_xGa_As中の深い局在準位による発光
• 23aYK-3 Zintl相BaSi_2の高圧下におけるアモルファス解析(23aYK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28p-C-2 (GaAs)n/(AlAs)n TypeI超格子におけるフォトルミネッセンスの圧力効果
• 23aZB-3 α-Boronの高圧下における20面体クラスターの変化(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28p-S-6 高圧下におけるカルコパイライト半導体の内部座標
• 28p-S-5 カルコパイライト半導体AgGaX_2(X=Te, S)の高圧相
• AgGaX_2(X=S, Se, Te)の正方晶歪みと内部歪みの圧力効果
• 25aRG-2 (La,Li)TiO_3の非アレニウス型イオン伝導II(25aRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 29a-ZH-2 Capacitance-XAFS:site-selective XAFSの可能性
• 28p-ZA-8 内殻励起によるAlGaAs:Se半導体中の深い不純物準位の特性評価
• 第19回高圧力の科学と技術に関する国際会議(AIRAPT-19) 報告
• 30p-YN-11 Te-DXセンターの電子放出に及ぼす圧力効果
• 3a-J-10 DXセンターの多重性と格子緩和II : 圧力下におけるICTSスペクトル実験
• 30p-L-11 DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル実験 : DXセンターの多重性と格子緩和
• 12a-DF-7 Si-DX, Te-DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル : DXセンターの多重性と格子緩和
• 30a-M-1 DXセンターの多重性と格子緩和 : 圧力下のICTSスペクトル実験
• 28a-D-10 ICTS法を用いたAl_xGa_As:Te中のDXセンターの圧力効果
• 24a-M-4 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
• 5a-D-1 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
• 6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
• 量子コンピューティング最小置換回数問題への応用
• 量子コンピューティング最小置換回数問題への応用
• 量子コンピューティング最小置換回数問題への応用
• 量子コンピューティング最小置換回数問題への応用
• 30aRC-7 α菱面体晶ボロンの高圧X線構造解析(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• NMRによる量子コンピュータ実験 : クロロホルム分子を用いた量子コンピュータ実験
• 27pWN-12 ZnOの超高圧X線構造解析(ゼオライト・高圧物性)(領域7)
• 29pXS-11 (Ag_2Te)_x-(AgPO_3)_(X=0.3,0.5)ガラスの赤外スペクトル(超イオン伝導体)(領域5)
• 21aTB-12 (Ag_2M)_x-(AgPO_3)_ の低エネルギー赤外スペクトル
• 30pYA-7 プロトン伝導体SrZrO_3系の赤外スペクトル
• 28p-C-3 (GaAs)m(AlAs)n人工超格子における光学スペクトルの圧力効果
• 24p-M-9 (GaAs)_m(AlAs)_n人工超格子における反射スペクトルの圧力効果II
• 2a-D-9 (GaAs)m(AlAs)n超格子の反射スペクトルの圧力効果
• 30a-Z-13 超高圧低温下における(GaAs)m(AlAs)m超格子のフォトルミネッセンス (III)
• 3p-C-13 超高圧低温下における(GaAs)_m(AlAs)_n超格子のフォトルミネッセンス (II)
• 日本高圧力学会会長に就任して
• 液体ヘリウム3可視化クライオスタットの製作
• 1st Asian Conference on High Pressure Research(ACHPR)に参加して
• 環境半導体β-FeSi_2の高圧力下光吸収
• 毛利信男,村田惠三,上床美也,高橋博樹編, 高圧技術ハンドブック, 丸善, 東京, 2007, xi+427p, 26.5×19cm, 本体20,000円[専門書]
• 18pXF-6 Zintl相BaSi_2の高圧相の探索(液体金属(アモルファス・溶融塩・その他),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 18pXC-2 β-FeSi_2の圧力誘起構造相転移(X線(X線・粒子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aZB-9 Co_xZn_O(x=0,0.05,0.10)の圧力誘起相転移(24aZB 分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30pXE-12 α-FeSi_2の高圧構造物性(30pXE 液体金属(液体混合系・アモルファス・結晶),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 27aYK-9 ZnOの超高圧X線構造解析(分子磁性, 高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYT-1 環境半導体BaSi_2の高圧物性(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 24pYG-10 球殻中の熱対流における振動解への遷移(乱流・安定性・音波,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27aYG-10 β-FeSi_2の高圧下における結晶構造と電子構造(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 20aPS-61 マイクロ波 ECR プラズマを用いた CN_x の作製と評価
• 29a-K-1 Si/Si_Ge_xにおけるファトルミネッセンススペクトルの圧力依存性II
• 12a-DE-9 Si/Si_Ge_Xにおけるフォトルミネッセンススペクトルの圧力依存性
• 28a-ZH-3 フォトルミネッセンスによるGaAs/AlAs超格子の圧力効果
• 28a-C-4 AlAs/GaAs短周期超格子の電子構造とその圧力及び歪効果
• 6a-A-1 ブリッジマンアンビル法による静水圧下の電気伝導度測定
• 30p-YM-13 AgGaS_2におけるuパラメータとエネルギーギャップの圧力変化
• 12a-DF-15 圧力誘起によるAgGaS_2の構造変化とエネルギーギャップ
• 第5回高圧半導体物理学国際会議報告
• 13p-PS-10 1T-V_Te_2の遠赤外反射スペクトル
• 28pZB-1 BeO の高圧相
• 23pTF-5 高圧下におけるリチウムの反射測定
• Liの圧力誘起構造相転移
• 22pZK-4 高圧下におけるリチウムの光学実験
• 22pZK-3 超高圧下でのリチウム分子の探求
• 半導体電子物性に及ぼす圧力効果 - 超格子,共鳴トンネル,DXセンター -
• 29pVD-11 ペロブスカイト型酸素イオン導電体Nd_Ca_GaO_3及びNdGa_Mg_O_3の赤外反射スペクトルの温度変化(29pVD 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• A-346 球殻中の熱対流による振動解への遷移
• 28aHA-2 リチウムイオン導電体(Li, La)TiO_3のガラス転移(28aHA 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• InS の電子帯構造の群論的考察
• 27a-B-6 InSの誘電関数と光学的異方性
• 2a-A-10 InSの吸収端及び格子振動の圧力効果
• 13p-PS-33 3-6族化合物半導体InS,InSeの光学反射率
• 22aRB-7 リチウムイオン導電体(Li,La)TiO_3のガラス転移II(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 第21回半導体物理学国際会議とそのサテライト会議
• 29a-M-3 InSの偏光反射率
• 1a-B-10 InSの高温下での電気抵抗の異方性
• 2a-F-20 II-VI族化合物半導体InSにおける光学的異方性
• 2a-K-3 単結晶InSにおける遠赤外スペクトルの偏光依存症
• 2a-K-12 III-VI族化合物半導体InSの結晶構造とイオン性
• 3p-Z-10 InS の格子振動スペクトル (II)
• 日欧の歴史的乾ドックの形状から見た日本の煉瓦積み乾ドックの固有性
• 水車に見る日本とヨーロッパの技術比較
• 四国地方の揚水用水車(構造と伝播経路)
• 岡山県における水車の製作技術
• 中国地方における揚水用水車の構造,分布及び伝播径路
• 岡山県における工業用水車の構造と使用形態
• 24pSA-5 β-FeSi_2の高圧物性(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク