28p-ZA-8 内殻励起によるAlGaAs:Se半導体中の深い不純物準位の特性評価
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
-
下村 理
原研
-
片山 芳則
JAERI Spring-8
-
松田 耕一郎
堀場製作所
-
片山 芳則
原研
-
財部 健一
岡理大理
-
江上 典文
Atr環境適応通信研
-
石井 昌史
高輝度光セ
-
石井 真史
高輝度光科学研究センター
-
吉野(平野) 洋子
岡山大理科大学
-
財部 健一
岡山大理科大学
-
大西 一
村田製作所
-
坂田 成司
ATR環境適応通信研
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