半導体鉄シリサイドの結晶成長と基礎物性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
-
結晶成長技術
-
23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
-
半導体鉄シリサイドの結晶成長と基礎物性
-
融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化
-
鉄シリサイドバルク成長と特性 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
-
エコ・エレクトロニクス材料β-FeSi2を用いた光CTスキャンセンサの開発
-
半導体鉄シリサイドバルク結晶の溶液成長 (〈特集〉環境半導体)
-
融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化
-
融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化
-
25aTJ-11 半導体Siクラスレートの探索(25aTJ 籠状物質(クラスレート化合物),領域7(分子性固体・有機導体))
-
-
24pSA-5 β-FeSi_2の高圧物性(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
Si基板上Mgスパッタ膜のアニール処理によるMg_2Siの合成
-
シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク