長谷川 文夫 | 筑波大学
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概要
関連著者
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長谷川 文夫
筑波大学
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長谷川 文夫
筑波大学物理工学系
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末益 崇
筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻
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末益 崇
筑波大学物理工学系
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末益 崇
筑波大学 物理工学系
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末益 崇
筑波大
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辛 埴
東大物性研
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森 嘉久
岡山理大理
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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小林 直人
電総研
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森 嘉久
岡山理科大学理学部 基礎理学科
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樋口 透
東理大理
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塚本 桓世
東理大理
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塚本 桓世
SPring-8
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鵜殿 治彦
茨城大工
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末益 崇
筑波大物理工
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鵜殿 治彦
茨城大学工学部電気電子工学科
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アヘメト パールハット
物質・林料研究機構物質研
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財部 健一
岡理大理
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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小原 明
電総研
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掛本 博文
東理大理
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牧田 雄之助
電総研
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桜木 史朗
ユニオンマテリアル(株)
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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成毛 環美
物質材料研究機構
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アヘメト パールハット
物質材料研究機構
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朱 敏
華南理工大学電気・機械工学利
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財部 健一
岡山理科大学
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住田 行常
岡山理科大学
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井貝 智行
岡山理科大学
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寺西 良太
岡山理科大学
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住田 行常
岡山理大理
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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飯倉 祐介
筑波大学 物理工学系
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高倉 健一郎
筑波大学 物理工学系
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長谷川 文夫
筑波大学 物理工学系
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森 嘉久
岡山理科大学理学部
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鵜殿 治彦
茨城大
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砂場 健児
筑波大学物質工学系
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米村 正吾
筑波大学物質工学系
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土屋 晴稔
筑波大学物質工学系
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Higuchi T
東理大理
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財部 健一
岡山理科大
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鵜殿 治彦
茨城大学
著作論文
- Si 結晶中に埋め込まれた FeSi_2 のTEM観察
- 5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
- 23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
- 環境に優しい光半導体 : β-FeSi_2の現状と将来展望
- 鉄シリサイド光デバイスの最前線 (特集 機能に富んだ材料シリコン)
- 環境にやさしい直接遷移型半導体β-FeSi_2の研究の現状と将来展望
- 分子線エピタキシー法によるβ-FeSi_2球のSi中埋込み構造作製と高温アニールによる赤外フォトルミネッセンスの増大
- X線測定による六方晶/立方晶GaN混合比の推定とHVPE GaN/GaAsの評価
- RDE法によるSi/β-FeSi_2/Si(001)構造の作製(ヘテロエピタキシーと界面構造制御)
- Strained-Layer Epitaxy(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- GaAs表面酸化によるショットキ-障壁高さの変化とEL2・DLTS信号への影響〔含 コメント〕 (GaAs中の深い準位EL2をめぐって)
- GaAs MESFET,MODFETの特性を支配するもの (高速電子デバイスのスイッチング速度の決定機構〔含 コメント〕)
- GaAs FETしきい値電圧を支配するもの--一致点,相違点,コメント