X線測定による六方晶/立方晶GaN混合比の推定とHVPE GaN/GaAsの評価
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概要
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(001)GaAs基板上にGaNを成長させると立方晶構造となるが, 成長膜中に六方晶GaNが混入してしまう. 今回我々は六方晶GaNの混在比をX線測定によって見積った. その結果, 通常のX線回折装置を使用したω法も六方晶GaNの混在比を知るために有効な手段であることがわかった. またこのω法を用いて混在比を見積り, 成長条件を最適化(サーマルクリーニング温度:600℃, V/III=300)することでHVPE法で立方晶GaNが80%以上含まれる結晶が得られた. さらに, ω法の結果はPLの結果と良く一致しており最も結晶性の良かった試料では, 立方晶のバンド端付近からの発光が支配的であった.
- 1997-06-17
著者
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