フルオロトリエトキシシランを用いたCVDによる酸化ケイ素薄膜の合成
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概要
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Preparation of silicon oxide films was tried by chemical vapor deposition (CVD) at substrate temperatures (T_<sub>) from 298 to 308 K and pressures in CVD chamber (P_<chm>) from 4 to 13 kPa. Fluorotriethoxysilane (FTES) and water which were vaporized in thermostatic oil baths were used assource materials. Dense films were obtained at T_<sub> below 303 K and P_<chm> above 6.7kPa, and the deposition rate was seriously affected by the bath temperature to evaporate water. Deposited films were examined by infrared reflection spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy, and it was found that the deposits contained fluorine. The relation between current density and electric field of dense films was also examined.
- 1997-05-01
著者
-
今井 庸二
物質工学工業技術研究所
-
若林 信一
新光電気工業(株)
-
今井 庸二
(独)産業技術総合研究所
-
若林 信一
新光電気工業
-
向田 雅一
物質工学工業技術研究所無機材料部
-
今井 庸二
産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
-
吉谷 昌明
新光電気工業(株)
-
向田 雅一
物質工学工業技術研究所
-
吉谷 昌明
新光電気工業
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