電解めっきによるバンプ成長過程の解析
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概要
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電解めっきを用いたマッシュルーム型の微小バンプの形成を制御するためには, めっき処理中の表面積の増加と電流密度の減少を把握することが重要である。そこで, 電解めっきによるバンプ成長過程の計算を試み, めっき時間とバンプ直径の関係, および, めっき時間とバンプ表面電流密度の関係を明らかにした。また, 実際の成長と比較し, 計算結果とよく致することを確認した。結果を応用し, バンプ内部の結晶状態の解析と一定電流密度条件下でのバンプ形成を試みた。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 1998-04-01
著者
-
若林 信一
新光電気工業(株)
-
若林 信一
新光電気工業株式会社
-
若林 信一
新光電気工業
-
中村 健次
新光電気工業株式会社開発統轄部プロセス開発部
-
前原 隆
新光電気工業株式会社開発統轄部プロセス開発部
-
中村 健次
新光電気工業 基盤技研
-
前原 隆
新光電気工業
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