Si-B系セラミックスの相図と熱電特性 (高次制御材料-2-<特集>)
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概要
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Boron-rich silicon borides were prepared by solid state reaction and arc-melting using boron and silicon powders. Rhombohedral SiB ?? phase in which n ranged from 15 to 49 was obtained. The lattice parameters, a and c, of SiB ?? increased with increasing Si content. The specimens obtained by arc-melting consisted of Si and SiB ?? . A quick cooling process caused the Si formation. The thermal conductivity, electrical conductivity and Seebeck coefficient of the arc-melted materials were measured. The ZT value increased with temperature, and was about 0.1 at 1200K.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
著者
-
後藤 孝
東北大学金属材料研究所
-
陳 立東
航空宇宙技術研究所
-
平井 敏雄
東北大学金属材料研究所
-
向田 雅一
物質工学工業技術研究所
-
新野 正之
航空宇宙技術振興財団
-
陳 立東
航空宇宙技術研究所角田支所
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