アーク溶解法によるSiC-B_4C共晶セラミックスの硬さと微細組織
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概要
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Quasi binary SiC-B<SUB>4</SUB>C and ternary Si-B-C system composites were prepared by arc melting in argon atmosphere. The Vickers microhardness (100g load) of the quasi binary SiC-B<SUB>4</SUB>C composites decreased from 39 to 34 GPa with increasing SiC molar content (m<SUB>SiC</SUB>) from 25 to 65 mol%. The hardness values at m<SUB>SiC</SUB>=45 to 55 mol%, which is nearly the eutectic composition, was higher than those calculated from a linear law. This could be caused by fine lamella microstructures. Free C and free Si co-precipitated at the C-rich and Si-rich side of the quasi binary composition, respectively. The hardness values at the quasi binary compositions were greater than those of the C-rich and Si-rich compositions.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
- 1995-04-15
著者
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