ECRプラズマスパッタリング法によるチタン酸ビスマス膜の作製と光学特性
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概要
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Bi-Ti-O oxide thin films were prepared on a sapphire single crystal substrate by electron cyclotron resonance (ECR) plasma sputtering. The target used was a sintered Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB>(BIT). The temperature of substrate (Tsub) was controlled in the range from room temperature to 640°C. The film obtained at Tsub=500°C was mixture of pyrochlore type oxide(Bi<SUB>2</SUB>Ti<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>) and Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB> oxide. In the film formed at 640°C, the (001) plane of the Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB> grew parallel to the (1120) and (1102) planes of the sapphire substrate, and the (104) plane of Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB> grew parallel to the (0001) plane of the sapphire substrate. The deposition rate was about 200Å/min. Transmittance and refractive index of the Films were measured.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
著者
-
後藤 孝
東北大学金属材料研究所
-
増本 博
東北大学金属材料研究所
-
平井 敏雄
東北大学金属材料研究所
-
増田 陽一郎
八戸工業大学
-
馬場 明
八戸工業大学工学部電気工学科
-
増田 陽一郎
八戸工業大学電気工学科
-
馬場 明
八戸工業大学電気工学科
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