江川 満 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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江川 満
(株)富士通研究所
-
植竹 理人
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
植竹 理人
株式会社富士通研究所
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植竹 理人
富士通研究所
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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森戸 健
富士通株式会社
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奥村 滋一
(株)富士通研究所
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森戸 健
財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部
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田中 信介
(株)富士通研究所
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森戸 健
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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森戸 健
(株)富士通研究所
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苫米地 秀一
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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高田 幹
株式会社富士通研究所
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高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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田中 信介
富士通研究所
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松田 学
株式会社富士通研究所
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森戸 健
株式会社富士通研究所
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藤井 卓也
株式会社富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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山崎 進
(株)富士通研究所
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菅原 充
(株)QDレーザ
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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江川 満
株式会社富士通研究所
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松本 武
(株)富士通研究所
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田中 有
(株)富士通研究所
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宋 海智
(株)富士通研究所
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山口 正臣
(株)QDレーザ
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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西 研一
(株)QDレーザ
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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高林 和雅
(株)富士通研究所
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苫米地 秀一
株式会社富士通研究所
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江川 満
富士通研究所
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石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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小林 宏彦
株式会社富士通研究所
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早川 明憲
(株)富士通研究所
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高林 和雄
(株)富士通研究所
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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田中 信介
富士通株式会社
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下山 峰史
(株)富士通研究所
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松田 学
(株)富士通研究所
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植竹 理人
富士通株式会社
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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関口 茂昭
株式会社富士通研究所
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鍬塚 治彦
株式会社富士通研究所
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小滝 裕二
(株)富士通研究所
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関口 茂昭
(株)富士通研究所
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雙田 晴久
(株)富士通研究所
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藤井 卓也
(株)富士通研究所
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渡辺 孝幸
株式会社富士通研究所
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鍬塚 治彦
(独)産業技術総合研究所
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藤井 卓也
住友電工デバイス・イノベーション(株)
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鍬塚 治彦
(株)富士通研究所
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関口 茂昭
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
鍬塚 治彦
富士通研究所
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高林 和雅
株式会社富士通研究所
-
早川 明憲
株式会社富士通研究所
-
中川 剛二
富士通株式会社
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雙田 晴久
富士通研究所
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小林 宏彦
富士通研究所
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小林 宏彦
(株)富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所
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荻田 省一
株式会社富士通研究所
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荻田 省一
(株)富士通研究所
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渡辺 孝幸
富士通カンタムデバイス(株)
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下山 峰史
株式会社富士通研究所
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鄭 錫換
富士通株式会社
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岡崎 二郎
富士通研究所
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青木 修
富士通研究所
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東 敏生
富士通研究所
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前多 泰成
(株)QDレーザ
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小林 正宏
株式会社富士通研究所
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小林 正宏
(株)富士通研究所
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荻田 省一
富士通研究所
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鄭 錫煥
富士通株式会社
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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鄭 錫煥
(株)富士通研究所
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青木 修
(株)富士通研究所
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大坪 孝二
(株)富士通研究所
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高田 幹
(株)富士通研究所
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中川 剛二
(株)富士通研究所
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山崎 進
富士通株式会社
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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森戸 健
富士通研
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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野中 作太郎
九州電気専門学校
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水野 章敏
学習院大学理学部
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木村 秀夫
物質・材料研究機構
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田中 克
NHK放送技術研究所
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島村 清史
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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田渕 雅夫
名大VBL
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木村 秀夫
物材研
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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浅見 徹
Kddi研究所
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浅見 徹
東京大学大学院情報理工学系研究科
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浅見 徹
株式会社kdd研究所
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浅見 徹
株式会社kddi研究所
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内山 裕士
JASRI
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島村 清史
独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター
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島村 清史
(独)物質・材料研究機構 物質研究所
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島村 清史
物材研
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安達 千波矢
九大未来化学
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和田 隆博
龍谷大理工
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神野 伊策
京大
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三宅 秀人
三重大工
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木村 秀夫
物材機構
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尾中 寛
(株)富士通研究所
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並木 周
古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所:(現)(独)産業技術総合研究所光技術研究部門
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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井出 聡
(株)富士通研究所
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秋山 傑
(株)富士通研究所
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難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
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鵜殿 治彦
茨城大工
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末益 崇
筑波大物理工
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宇佐美 徳隆
東北大学金属材料研究所
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小山田 公之
NHK
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富沢 将人
日本電信電話株式会社未来ねっと研究所:(財)光産業技術振興協会
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酒井 朗
大阪大学
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小山田 公之
日本放送協会
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島村 清史
物材機構
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水野. 章敏
学習院大学理学部物理学科
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田中 有
技術研究組合 フェムト秒テクノロジー研究機構
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木村 秀夫
NIMS
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小滝 裕二
株式会社富士通研究所
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大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
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森 和行
(株)富士通研究所
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江部 広治
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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神野 伊策
松下電器産業(株)中央研究所
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石川 浩
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
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森 和行
富士通(株)
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神野 伊策
京大院工
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土屋 朋信
日立製作所中央研究所
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佐藤 嘉洋
株式会社富士通研究所
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藤井 卓也
富士通研究所
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小野 春彦
神産技セ
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鍋谷 暢一
山梨大
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五明 明子
NEC
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酒井 朗
阪大
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小椋 厚志
明大
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土屋 忠厳
日立電線
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西尾 譲司
東芝
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松原 浩司
産総研
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反保 衆志
産総研
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立岡 浩一
静岡大
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黒須 隆行
(独)産業技術総合研究所
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東 敏生
(株)富士通研究所
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島村 清史
NIMS
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鍋谷 暢一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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小山田 公之
日本放送協会放送技術研究所
-
小山田 公之
Nhk放送技術研究所ネットワークシステム
-
小山田 公之
日本放送協会 放送技術研究所 システム
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和田 隆博
龍谷大
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尾中 寛
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通株式会社
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河口 研一
富士通(株)
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江川 満
富士通(株)
-
秋山 知之
富士通(株)
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植竹 理人
富士通(株)
-
安岡 奈美
富士通(株)
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菅原 充
富士通(株)
-
秋山 知之
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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並木 周
産業技術総合研究所
-
須藤 久男
(株)富士通研究所
-
五明 明子
NEC基礎研
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石川 浩
(独)産業技術総合研究所・ネットワークフォトニクス研究センター
-
富澤 将人
日本電信電話(株)未来ねっと研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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土屋 朋信
日立中研
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田中 宏昌
富士通(株)
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難波江 宏一
Nec
-
黒須 隆行
産業技術総合研究所
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三宅 秀人
三重大
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土屋 朋信
日立
-
末益 崇
筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻
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末益 崇
筑波大
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尾中 寛
株式会社富士通研究所:(財)光産業技術振興協会
-
佐藤 嘉洋
(株)富士通研究所
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森戸 健
富士通研究所
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植竹 理人
(財)光産業技術振興協会
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松田 学
(財)光産業技術振興協会
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江川 満
(財)光産業技術振興協会
-
羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
高林 和雅
富士通研究所
-
早川 明憲
富士通研究所
-
苫米地 秀一
富士通研究所
-
安達 千波矢
九大
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田渕 雅夫
名大
-
島村 清史
物質・材料研究機構
-
羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
小山田 公之
Nhk放送技術研究所 デジタルネットワーク
-
羽鳥 伸明
(株)富士通研究所
-
中川 剛仁
(株)富士通研究所
-
木村 秀夫
物質・材料研究機構応用結晶科学グループ
著作論文
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- テーパ導波路FBHレーザ
- テーパ導波路FBHレーザの電極長の理論検討
- テーパ導波路FBHレーザの戻り光雑音特性
- C-4-13 高い飽和光出力を持つ1.55μm帯偏波無依存型半導体光増幅器における10Gb/s変調光増幅特性
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- MOVPE選択成長の原理と定量的解析
- 交互供給MOVPE法によるInGaAs自己形成量子ドットの成長(ヘテロエピタキシーと界面構造制御)
- 結晶成長技術
- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(量子ドットの使い道)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御
- C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- C-4-17 EA変調器集積TDA-DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レべル制御(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-4-23 ヒータを用いたSOA利得制御による入出力ダイナミックレンジ拡大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 高出力8:1ch集積型SOAゲートスイッチアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 8:1ch集積型半導体光増幅器ゲートスイッチアレイ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- C-4-6 1.3-μm帯AlGaInAs MQW-SOA小型モジュールの低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- Tunable Twin Guide DFBレーザの波長可変特性(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- テーパ導波路FBHレーザとシングルモードファイバとの結合特性
- テーパ導波路FBHレーザの変調特性
- テーパ導波路FBHレーザの高温動作
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 クーラレス偏波無依存型AlGaInAs SOAモジュールの広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-26 コラムナ量子ドット半導体光増幅器アレイの高温・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 小型・低消費電力AlGaInAs MQW-SOAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 次世代超高精細映像に向けた超高速LAN-SANシステム化技術とその要素技術開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,インターネットと環境・エコロジー,一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成 (電子デバイス)
- C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-2 波長1.3μm帯AIGalnAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)