MOVPE選択成長の原理と定量的解析
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概要
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MOVPE選択成長の振る舞いを記述する理論モデルを提案し、マスクパターニングによって発生する成長速度増加とその面内分布を調べた.我々のモデルでは、MOVPE成長速度は基板表面から気相原料の平均自由行程の距離離れた位置での原料濃度に比例し、基板表面からマスクサイズなど基板表面の代表長程度の距離離れた位置で原料濃度はラテラルに一様になる.このモデルに従えば、原料の平均自由行程が基板表面の代表長に達する減圧条件下でマスクパターニングによる成長速度変調は消失する.理論モデルから導かれる成長速度分布を記述するレート方程式は、選択成長における成長速度変調の面内分布およびその成長圧力依存性を定量的に再現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-16
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