高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
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概要
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ビーム放射角が狭く光ファイバへの高効率光結合が可能な1.3μm帯テーパ導波路レーザに,埋め込み構造として高抵抗InP層を用いたSIPBH構造を採用することで,しきい値電流等の基本特性は従来のpn埋め込み構造の素子と同等のまま素子容量を約l桁低減した.この素子容量の低減により完全ゼロバイアス変調時の立ち上がりジッタを低減することができ,その結果85℃において156Mb/s完全ゼロバイアス駆動,40kmペナルティフリー伝送を実現した.更にしきい値電流低減のために両端面を高反射率として利得領域長の最適化を行い,共振器長320μm (利得領域120μm)の素子において25℃で3.2 mA,85℃で10.5 mAの低しきい値電流を狭放射角レーザで得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-10
著者
-
渡辺 孝幸
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
小林 宏彦
(株)富士通研究所
-
竹内 辰也
株式会社富士通研究所
-
竹内 辰也
(株)富士通研究所
-
小林 正宏
株式会社富士通研究所
-
藤井 卓也
株式会社富士通研究所
-
藤井 卓也
ユーディナデバイス株式会社
-
山本 剛之
株式会社富士通研究所
-
小林 宏彦
株式会社富士通研究所
-
石川 務
株式会社富士通研究所
-
渡辺 孝幸
富士通株式会社
-
荻田 省一
株式会社富士通研究所
-
石川 務
(株)富士通研究所
-
渡辺 孝幸
富士通(株)
-
藤井 卓也
(株)富士通研究所
-
荻田 省一
(株)富士通研究所
-
小林 正宏
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
石川 務
住友電工デバイス・イノベーション(株)
-
藤井 卓也
住友電工デバイス・イノベーション(株)
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