高田 幹 | 東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

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概要

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関連著者

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 西 研一

  株式会社qdレーザ

• 山口 正臣

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 苫米地 秀一

  (株)富士通研究所

• 土居 正治

  株式会社富士通研究所

• 土居 正治

  富士通株式会社

• 高林 和雅

  株式会社富士通研究所

• 苫米地 秀一

  株式会社富士通研究所

• 宮田 英之

  富士通研究所

• 宮田 英之

  富士通株式会社

• 橋本 直樹

  株式会社富士通研究所

• 宮田 英之

  株式会社富士通研究所

• 中澤 忠雄

  株式会社富士通研究所

• 橋本 直樹

  玉川大学工学部

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 中澤 忠雄

  (財)光産業技術振興協会:富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 中澤 忠雛

  株式会社富士通研究所

• 森戸 健

  株式会社富士通研究所

• 土居 正治

  株式会社富士通研究所:富士通株式会社

• 土居 正治

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 高林 和雅

  (株)富士通研究所

• 高林 和雄

  (株)富士通研究所

• 橋本 直樹

  千葉大学大学院工学研究科

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 橋本 直樹

  弘前大学医学部第二外科:弘前大学医学部小児外科

• 橋本 直樹

  兵庫県立粒子線医療センター放射線科

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 中川 剛二

  富士通株式会社

• 前多 泰成

  (株)QDレーザ

• 中川 剛二

  株式会社富士通研究所

• 竹内 辰也

  株式会社富士通研究所

• 竹内 辰也

  (株)富士通研究所

• 奥村 滋一

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 森戸 健

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 松田 学

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  (株)富士通研究所

• 松田 学

  株式会社富士通研究所

• 松田 学

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 前多 泰成

  株式会社QDレーザ

• 井出 聡

  (株)富士通研究所

• 秋山 傑

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  (株)富士通研究所

• 森 和行

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部

• 森 和行

  富士通(株)

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所

• 田中 宏昌

  富士通(株)

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大坪 孝二

  富士通研:富士通:光産業技術振興協会

• 影山 健夫

  (株)QDレーザ

• 井出 聡

  富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 影山 健生

  株式会社qdレーザ

• 影山 健生

  (株)QDレーザ

• 秋山 傑

  富士通研究所

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著作論文

• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 (光エレクトロニクス)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 (電子部品・材料)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 (機構デバイス)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• C-4-8 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域 (132nm) 波長可変レーザ
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (光エレクトロニクス)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (電子部品・材料)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (機構デバイス)

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