高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 (機構デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-08-26

著者

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

関連論文

• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 (光エレクトロニクス)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 (電子部品・材料)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 (機構デバイス)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• C-4-8 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域 (132nm) 波長可変レーザ
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (光エレクトロニクス)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (電子部品・材料)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (機構デバイス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク