植竹 理人 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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植竹 理人
(株)富士通研究所
-
江川 満
(株)富士通研究所
-
植竹 理人
株式会社富士通研究所
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植竹 理人
富士通研究所
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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田中 信介
(株)富士通研究所
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森戸 健
財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部
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奥村 滋一
(株)富士通研究所
-
森戸 健
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
苫米地 秀一
(株)富士通研究所
-
江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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森戸 健
富士通株式会社
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山本 剛之
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
森戸 健
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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松田 学
株式会社富士通研究所
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山崎 進
(株)富士通研究所
-
田中 信介
富士通研究所
-
山本 剛之
(株)QDレーザ
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江川 満
株式会社富士通研究所
-
森戸 健
株式会社富士通研究所
-
高林 和雅
(株)富士通研究所
-
松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
関口 茂昭
株式会社富士通研究所
-
苫米地 秀一
株式会社富士通研究所
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鍬塚 治彦
株式会社富士通研究所
-
関口 茂昭
(株)富士通研究所
-
鍬塚 治彦
(独)産業技術総合研究所
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早川 明憲
(株)富士通研究所
-
鍬塚 治彦
(株)富士通研究所
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関口 茂昭
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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高林 和雄
(株)富士通研究所
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鍬塚 治彦
富士通研究所
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田中 信介
富士通株式会社
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下山 峰史
(株)富士通研究所
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植竹 理人
富士通株式会社
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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植竹 理人
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松田 学
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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下山 峰史
株式会社富士通研究所
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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高林 和雅
株式会社富士通研究所
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早川 明憲
株式会社富士通研究所
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中川 剛二
富士通株式会社
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松田 学
(株)富士通研究所
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下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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鄭 錫換
富士通株式会社
-
鄭 錫煥
富士通株式会社
-
鄭 錫煥
(株)富士通研究所
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中川 剛二
(株)富士通研究所
-
山崎 進
富士通株式会社
-
高林 和雅
富士通研究所
-
関口 茂昭
富士通研究所
-
早川 明憲
富士通研究所
-
苫米地 秀一
富士通研究所
-
森戸 健
富士通研
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大坪 孝二
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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野中 作太郎
九州電気専門学校
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
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江部 広治
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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山本 剛之
株式会社富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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河口 研一
富士通(株)
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江川 満
富士通(株)
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秋山 知之
富士通(株)
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植竹 理人
富士通(株)
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安岡 奈美
富士通(株)
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菅原 充
富士通(株)
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秋山 知之
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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大坪 孝二
(株)富士通研究所
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植竹 理人
(財)光産業技術振興協会
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松田 学
(財)光産業技術振興協会
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江川 満
(財)光産業技術振興協会
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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菅原 充
(株)QDレーザ
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羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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羽鳥 伸明
(株)富士通研究所
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中川 剛仁
(株)富士通研究所
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河口 研一
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
安岡 奈美
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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羽鳥 伸明
富士通研究所
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羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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奥村 滋一
株式会社富士通研究所
著作論文
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(量子ドットの使い道)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 EA変調器集積TDA-DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レべル制御(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-4-23 ヒータを用いたSOA利得制御による入出力ダイナミックレンジ拡大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 高出力8:1ch集積型SOAゲートスイッチアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 8:1ch集積型半導体光増幅器ゲートスイッチアレイ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-6 1.3-μm帯AlGaInAs MQW-SOA小型モジュールの低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 奨励講演 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 クーラレス偏波無依存型AlGaInAs SOAモジュールの広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 小型・低消費電力AlGaInAs MQW-SOAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-2 波長1.3μm帯AIGalnAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)