10Gb/s用MQW構造変調器集積化DFBレーザ
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概要
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変調器集積化DFBレーザの変調器には非常に高い強度のレーザ光が入射する。このため変調器でホールが蓄積し、印加電界のスクリーニング等により変調特性が劣化することが懸念される。このホール蓄積抑制のため、歪補償MQW吸収層とグレーディドSCH層を導入した変調器集積化DFBレーザを製作した。これより高出力時まで安定した変調特性が得られた。さらに100mAに渡る広いレーザ注入電流の変化に対して、安定した良好な10Gb/s,NRZ,60km伝送に成功した。また変調器に深いバイアスを印加しても変調特性は劣化せず、αパラメータを負にチューニングすることにより伝送特性が改善できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-06-22
著者
-
小滝 裕二
(株)富士通研究所
-
森戸 健
富士通株式会社
-
雙田 晴久
(株)富士通研究所
-
森戸 健
(株)富士通研究所
-
佐藤 恵二
(株)富士通研究所
-
佐原 リチャード
(株)富士通研究所
-
雙田 晴久
富士通研
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