p型基板1.3μm帯歪MQWレーザの低しきい値特性
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概要
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光並列リンク等への応用を考え、高温まで低しきい値電流で発振するp型基板1.3μm帯歪MQWレーザを作製し、特性を評価した。MQW活性層構造の検討として、井戸層厚、井戸層数を変えて比較した結果、井戸層厚8nm、井戸層数5が良好であった。この活性層構造をp型基板埋め込み構造に適用した結果、共振器長200μm、両面高反射率化素子で、1.0mA(20℃)、3.5mA(80℃)という低しきい値電流特性を得た。10チャンネル・レーザアレイのしきい値ばらつきは0.1mA以下で、均一性も良好であった。また、1Gbit, sの無バイアス高速変調でも、1タイムスロットの70%以上の大きなアイ開口率を得た
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-23
著者
-
田中 一弘
富士通株式会社
-
若尾 清秀
(株)富士通研究所
-
井出 聡
(株)富士通研究所
-
井上 忠夫
(株)富士通研究所
-
井上 忠夫
富士通研究所
-
井出 聡
富士通研究所
-
小田川 哲史
富士通研究所
-
田中 一弘
富士通研究所
-
町田 豊稔
富士通研究所
-
若尾 清秀
富士通研究所
-
井出 聡
富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
小田川 哲史
富士通
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