InGaAs3 元基板を用いた 1.3μm 帯半導体レーザ
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概要
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光アクセス系、光インタコネクションへの応用を目的とした、低しきい値かつ温度特性に優れた1.3μm帯半導体レーザが強く求められている。このような要求に対し、InGaAs3元基板では深い量子井戸を活性層に形成でき、大きな光学利得が得られるため、高性能1.3μm帯レーザを実現するための有望な技術と考えられる。我々は、InGaAs基板を用いることで、100A/cm^2以下の低しきい値動作と400K近い特性温度が期待できることを理論的に示したCまた、In組成0.05と0.21のInGaAs基板上に作製したレーザは良好な特性を示し、現在我々が開発している3元基板が十分な品質を備えていることが実証された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-17
著者
-
石川 浩
株式会社富士通研究所
-
石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
内田 徹
Rwcp光インターコネクション富士通研究室
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石川 浩
RWCP光インターコネクション富士通研究室
-
小路 元
(株) 富士通研究所
-
小路 元
株式会社富士通研究所
-
内田 徹
株式会社富士通研究所
-
楠木 敏弘
株式会社富士通研究所
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