3元基板上のGaInAs長波長半導体レーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光アクセス系, 光インタコネクションを主なターゲットとして, 1.3μm帯半導体レーザの温度特性の改善が近年活発に検討されている。1.3μm帯のレーザの温度特性の支配要因については未だ議論の余地があるが, できるだけ深い量子井戸を活性層に用いる方法が1つの有力な手段と考えられる。このような視点から, 最近の新しい試みとして, GaAsとInPの中間の格子定数を持つInGaAs 3元基板を用いる方法, GaAs基板に格子整合可能なGaInNAsという新しい材料を用いる方法が提案されており, 1.3μm帯での優れた温度特性の実現に向けて検討が進められている。ここでは, 我々が提案している3元基板上のレーザについて, 研究の現状と将来展望を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
関連論文
- DFBレーザ内4光波混合による波長変換と光位相共役
- 波長可変半導体レ-ザ (光の波長・位相制御技術とその応用論文特集)
- InGaAs3元基板上低しきい値1.3μmレーザ
- InGaAs3元基板を用いた1.3μm帯歪量子井戸レーザ
- λ/4位相シフトDFBレーザ内での非縮退4光波混合の飽和特性
- 3元基板上のGaInAs長波長半導体レーザ
- 多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
- 自己形成InGaAs量子ドットにおけるフォノンボトルネック現象の観察
- 自己組織化InGaAs量子ドットレーザー
- 自己組織化In_Ga_As量子ドットレーザの電流注入によるレーザ発振
- 発振光をポンプ光としたDFBレーザー内での非縮退四光波混合
- InGaAs3 元基板を用いた 1.3μm 帯半導体レーザ
- 1.3μm帯面発光レーザの特性解析 : InGaAs3元基板の検討
- 新材料技術による1.3μm帯の温度特性の優れた半導体レーザ (特集 21世紀に向けた研究開発)
- コヒ-レント光伝送技術 (′88富士通総合技術展特集号)
- OPE2000-42 / LQE2000-36 半導体DFBレーザ内の四光波混合による光短パルス波長変換
- OPE2000-42 / LQE2000-36 半導体DFBレーザ内の四光波混合による光短パルス波長変換
- 反転分布状態にある圧縮歪量子井戸の三次光非線形感受率
- 反転分布状態にある圧縮歪量子井戸の三次光非線形感受率
- 半導体レーザ内の四光波混合を用いた波長変換の高効率化
- DFB半導体レーザ内での非縮退四光波混合による波長変換
- TC-1-1 量子ドットの物性とその光デバイスへの応用
- LQE2000-15 InGaAs/GaAs 自己形成量子ドットレーザーの利得測定
- 三元基板を用いた温度特性の優れた1.3μm 帯ひずみ量子井戸レーザー
- 面型レ-ザ-の低しきい値・高温動作化
- 面発光レーザの低しきい値・高温動作化
- 波長可変半導体レ-ザ-
- 1)光ファイバ付気密封止半導体レーザ(第51回テレビジョン電子装置研究会)
- PC-2-5 波長変換デバイスの現状と展望
- 半導体利得媒質中の四光波混合による波長変換・位相共役波発生
- 波長アドレス光インタコネクション--波長領域を用いた小型・低消費電力インタコネクションを目指して--将来のイメ-ジと実現に向けた状況 (リアル・ワ-ルド・コンピュ-ティング(RWC))
- 自己形成量子ドットレーザー
- 6-1 超高性能半導体レーザに向けて (化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発) 6.将来に向けた革新デバイスの研究開発