6-1 超高性能半導体レーザに向けて (<小特集>化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発) 6.将来に向けた革新デバイスの研究開発
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概要
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半導体レーザの消費電力を低減し, 優れた温度特性を実現することを目指して, 新技術を用いたレーザの研究が進められている. 新しい材料技術を用いて温度特性の優れた波長1.3μm帯のレーザを実現しようとする研究として, InGaAs三元基板を用いたレーザと, GaInNAsという新材料を用いたレーザの研究が行われている. また, 超低しきい値発振が期待される量子ドットレーザでは, 自己組織化という成長技術で, 室温連続発振が可能となっている.
- 1997-07-25
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